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音頻產(chǎn)品Buck轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)考慮
Buck轉(zhuǎn)換器是音頻產(chǎn)品中不可或缺的重要器件。然而音頻系統(tǒng)較為復(fù)雜，使得設(shè)計(jì)一顆合適的Buck轉(zhuǎn)換器并非易事。本文從音頻產(chǎn)品系統(tǒng)出發(fā)，深入分析Buck的輸入電壓、開關(guān)頻率、輕載高效模式、軟起動(dòng)時(shí)間以及引腳布局對(duì)音頻系統(tǒng)的影響，并對(duì)Texas Instruments當(dāng)前新一代的Buck方案 – TPS6293x進(jìn)行了介紹...
2023-01-31
音頻產(chǎn)品 Buck轉(zhuǎn)換器
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驅(qū)動(dòng)芯片在應(yīng)用中的常見問題分析與解決
通信電源PSU在通訊設(shè)備中擔(dān)任著很重要的角色，PSU問題將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)通訊設(shè)備無法正常運(yùn)作。常見的通信電源PSU拓?fù)溆袠蚴?、推挽以及正在興起的非隔離IBB架構(gòu)。所有這些應(yīng)用場(chǎng)景都離不開驅(qū)動(dòng)芯片。在驅(qū)動(dòng)芯片的應(yīng)用過程中，常見的兩類問題是異常丟波現(xiàn)象以及輸出通道的誤脈沖，他們會(huì)隨著芯片、系統(tǒng)設(shè)...
2023-01-30
驅(qū)動(dòng)芯片 常見問題
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BQ25798+TPS25221鋰電池和超級(jí)電容充電方案
近年來，為了方便使用，隨著越來越多的工具均采用無線化設(shè)計(jì)。因此，儲(chǔ)能元件的需求也與日俱增。在一些應(yīng)用比如掃碼槍中，會(huì)有越來越來越多的客戶考慮采用電池或者超級(jí)電容作為儲(chǔ)能元件， 鋰電池和超級(jí)電容的儲(chǔ)能原理不同，相應(yīng)的充電放電曲線也不相同，本文基于TI的BQ25798+TPS25221提出了一種能夠...
2023-01-30
鋰電池 超級(jí)電容 充電方案
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基于MPY634的有效值電路設(shè)計(jì)
MPY634是一款寬帶寬、高精度、四象限模擬乘法器。其精確的激光微調(diào)特性使其易于在各種應(yīng)用中使用。它的差分X，Y和Z輸入使其在保持高精度的同時(shí)可以進(jìn)行乘法、除法、開方等多種運(yùn)算。精確的內(nèi)部電壓參考可精確設(shè)置比例因數(shù)。
2023-01-30
模擬乘法器 有效值 電路設(shè)計(jì)
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如何解決汽車大功率集成磁元件的散熱難題？
本文將重點(diǎn)討論普萊默在3DPower?散熱技術(shù)方面取得的進(jìn)步。磁集成的最大優(yōu)點(diǎn)是同一元件的體積比離散方案的小。但增加功率密度會(huì)導(dǎo)致部件溫度升高。
2023-01-29
電動(dòng)汽車 磁元件 散熱
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通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度
像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3kW 開關(guān)電源 (SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá) 98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá) 100 W/in3。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)?圖騰柱 PFC 級(jí)中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (...
2023-01-29
柵極驅(qū)動(dòng)器 開關(guān)電源 功率密度
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BMS與新型電池技術(shù)化解“里程焦慮”
新能源汽車市場(chǎng)爆發(fā)，但“里程焦慮”始終是困擾車主的最大問題之一，其具體表現(xiàn)為續(xù)航虛標(biāo)、充電速度慢以及冬季里程縮水等。在國(guó)內(nèi)，從2014/2015年開始，新能源汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展期。解決里程焦慮是產(chǎn)業(yè)主要的發(fā)展目標(biāo)之一，隨著充電樁、換電站等基礎(chǔ)設(shè)施不斷完善，消費(fèi)者對(duì)新能源汽車的接受度不斷...
2023-01-28
BMS 電池技術(shù)
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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動(dòng)汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對(duì) Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)?、系統(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
汽車應(yīng)用 功率模塊 仿真
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，SiC ...
2023-01-27
SiC MOSFET 溝槽柵
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