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如何表征電源變壓器的 EMI 性能
電源變壓器通常是隔離開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中共模噪聲的主要來源。為什么？因?yàn)樵谧儔浩鲀?nèi)部，隔離柵初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的繞組非常接近（通常間隔小于 1 毫米），導(dǎo)致相鄰繞組之間存在顯著的寄生電容。
2023-07-24
電源變壓器 EMI
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平面變壓器有利于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
長(zhǎng)期以來，變壓器一直是DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的痛點(diǎn)和難點(diǎn)。因?yàn)樗鼈凅w積大、價(jià)格貴且難以制造。通過閱讀本篇文章，你可以了解平面變壓器是如何提高質(zhì)量并降低低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)成本。
2023-07-24
變壓器 DC/D 轉(zhuǎn)換器
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借助更多的選項(xiàng)響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時(shí)候會(huì)變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇，同時(shí)支持更高的設(shè)計(jì)靈活性，從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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華潤(rùn)微總裁李虹：中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑趨勢(shì)有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國(guó)?南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國(guó)內(nèi)IDM大廠華潤(rùn)微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在過去的一年當(dāng)中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢(shì)有到底跡象。
2023-07-24
華潤(rùn)微 中國(guó)半導(dǎo)體 市場(chǎng)下滑
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一個(gè)簡(jiǎn)單的無變壓器1．5V DC電源電路
本文介紹了一個(gè)簡(jiǎn)單的無變壓器 1.5V DC電源電路，可用于直接從市電為掛鐘供電，并且還可以保持備用電池充滿電，即使在市電故障期間也能實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘的不間斷運(yùn)行。
2023-07-22
無變壓器 DC電源電路
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì)技巧
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如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)？
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(ST...
2023-07-21
柵極驅(qū)動(dòng)器 電路設(shè)計(jì)
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使用高壓電池的電動(dòng)汽車安全性如何？
如今，電動(dòng)汽車上使用的高壓電池都提供了最大的安全性和使用壽命。如果您還在因?yàn)閾?dān)心電池的安全性而猶豫是否將燃油動(dòng)力汽車換成電動(dòng)汽車 (EV)，那就盡管放心！據(jù)多家媒體的報(bào)道，很多人都非常關(guān)注電動(dòng)汽車及其高壓電池的危險(xiǎn)性。其實(shí)高壓電池在正常的操作條件下使用是非常安全的，出現(xiàn)的問題也相對(duì)...
2023-07-20
高壓電池 電動(dòng)汽車 安全 電池
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 注意事項(xiàng)
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