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封裝面積減小4成,支持LTE的RF模塊
村田制作所開(kāi)發(fā)出用于LTE智能手機(jī)的小型RF收發(fā)模塊,封裝面積減小4成,其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù),使用樹(shù)脂基板而非陶瓷基板實(shí)現(xiàn)了模塊,該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等,RF電路部分的定位是“全模塊”。
2012-10-24
LTE RF模塊 村田
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第一講:解析雷電和浪涌的產(chǎn)生、危害及防護(hù)措施
眾所周知,雷電具有極大地破壞性,其電壓高達(dá)數(shù)百萬(wàn)伏,瞬間電流可高達(dá)數(shù)十萬(wàn)安培?,F(xiàn)代電子設(shè)備功能越來(lái)越強(qiáng),電路越來(lái)越復(fù)雜,元器件密度也越來(lái)越高,但承受電磁干擾或感應(yīng)電壓的能力越來(lái)越低。尤其是監(jiān)控系統(tǒng),多數(shù)都裝在室外,更易受到雷擊及浪涌的破壞,如不對(duì)這些電子設(shè)備進(jìn)行雷電感應(yīng)保護(hù),...
2012-10-24
雷電 浪涌 保護(hù)
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可支持15種頻帶的FBAR濾波器
安華高此前的FBAR濾波器支持5種頻帶,但世界各地的LTE服務(wù)使用了多種頻帶,因此此次擴(kuò)大了支持的頻帶數(shù)量。此次增加了對(duì)700MHz頻帶、900MHz頻帶及2.6GHz頻帶等15種頻帶的支持。安華高表示,這一舉措使該公司的FBAR濾波器得到了大量智能手機(jī)的采用。
2012-10-24
FBAR 濾波器 安華高
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100W USB供電新標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)
此前USB 2.0的最大供電能力為2.5W(5V、500mA),USB 3.0為4.5W(5V、900mA),新的標(biāo)準(zhǔn)將USB的最大供電能力一下子提高到了100W,就能夠?qū)崿F(xiàn)為筆記本電腦供電。最近,出現(xiàn)了通過(guò)一根USB連接線實(shí)現(xiàn)影像輸入和供電的外置顯示器。
2012-10-24
USB 3.0 USB 2.0 筆記本
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本土USB3.0應(yīng)用IP助力SoC設(shè)計(jì)
四川和芯微電子正式宣布推出通過(guò)USB IF兼容性測(cè)試的USB3.0完整IP解決方案,為目前大陸地區(qū)第一家通過(guò)該項(xiàng)測(cè)試的USB3.0物理層IP產(chǎn)品。再次完善了國(guó)內(nèi)在高速接口技術(shù)上的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈,為集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)實(shí)現(xiàn)目前熱門(mén)的USB3.0接口技術(shù)提供了新的選擇。
2012-10-24
USB3.0 SoC IP
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Win8延遲上市 連接器Q3營(yíng)收僅增5~10%
受到微軟新平臺(tái)Windows 8延遲至10月推出的影響,導(dǎo)致客戶端趨向保守,旺季訂單能見(jiàn)度不如往年,導(dǎo)致連接器廠第3季營(yíng)收季增率恐僅達(dá)5~10%。
2012-10-24
Win8 連接器 筆記本電腦
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可減少功率損耗LED背光升壓開(kāi)關(guān)
在防止低效的不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 升壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生功率損耗和次諧波震蕩方面,高功率 LED 設(shè)計(jì)師們面臨挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體推出LED背光升壓開(kāi)關(guān), 可幫助設(shè)計(jì)師在高功率照明應(yīng)用(如適用于 3D 電視和顯示器的 LED 背光)方面實(shí)現(xiàn)更高的效率、更優(yōu)質(zhì)的性能和更好的可靠性,從而克服這些挑戰(zhàn)。
2012-10-24
飛兆 LED 升壓開(kāi)關(guān)
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村田制作所加強(qiáng)在中國(guó)的EMC解決方案
為了提供給中國(guó)的客戶更快捷的技術(shù)支持,村田多次在中國(guó)設(shè)立EMC研究中心,最近在北京分公司增加EMI設(shè)別,為客戶解決EMC問(wèn)題。
2012-10-24
村田 EMC
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TDK帶EMI濾波功能的壓敏電阻器
近年來(lái),手機(jī)所等便攜式電子設(shè)備進(jìn)一步向小型化、高性能化發(fā)展,所搭載的電子零部件也同樣朝著小型化、高度集成化發(fā)展,為防止出現(xiàn) EMI電磁干擾,TDK開(kāi)發(fā)出帶EMI濾波器功能的BGA壓敏電阻器。
2012-10-24
TDK EMI 濾波 壓敏電阻器
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