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專家縱論技術熱點 功率器件與模塊電源技術研討會開幕
8月28號下午，功率器件與模塊電源技術研討會開幕，電子元件技術網CEO劉杰博士首先分享了西部電子市場的成長與機會，Vishay、泰科電子、RECOM和飛兆半導體的專家分別作了主題演講。
2009-09-01
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集成功率模塊與分立功率器件的應用討論
——飛兆半導體公司技術行銷部首席經理張三嶺專訪在馬達驅動和功率轉換應用中，功率器件的優(yōu)化設計對于系統(tǒng)工程師始終是個挑戰(zhàn)，包括相應的電參數(shù)確定、熱設計、PCB設計和EMC優(yōu)化。集成功率模塊可以幫助系統(tǒng)工程師節(jié)省大量的時間，并且大幅提高系統(tǒng)的性能、可靠性和可生產性。
2009-08-21
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為嚴苛的應用環(huán)境選擇合適的電源模塊
——RECOM亞太區(qū)技術銷售總監(jiān)Harry Gu專訪RECOM新近推出的PowerlinePLUS電源模塊就是針對高溫（工作溫度在100oC到105oC）下高功率密度和抗震動的產品應用而推出的。在功率器件與模塊電源應用技術研討會上，RECOM亞太區(qū)技術銷售總監(jiān)Harry Gu將針對PowerlinePLUS做詳細的介紹。
2009-08-21
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功率器件熱設計
本文介紹了功率器件的熱性能參數(shù)，并根據實際工作經驗，闡述了功率器件的熱設計方法和散熱器的合理選擇。
2009-07-17
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電子元件技術網互動精彩回放
本期《電子元件技術網互動精彩回放》的內容，是網友互動的濃縮，其中有電路保護專家、電源模塊專家、功率器件專家的精彩解答，也有業(yè)內資深工程師的實踐經驗，同樣還有電子元件技術網CEO和各位分析師的話......
2009-04-16
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新型節(jié)能技術研討會精彩問答薈萃
電子元件技術網主辦的新型節(jié)能技術研討會取得了圓滿成功，來自華為、中興、比亞迪、大族精密機電、創(chuàng)維、航盛電子等整機廠商的工程師與采購經理，圍繞電源效率的提升、功率器件、電源模塊的選型以及光伏產業(yè)的發(fā)展的話題，與演講嘉賓進行了熱烈的互動。以下是部分精彩問答的摘錄。
2009-04-14
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BLL6H1214-500：NXP L波段雷達應用RF輸出功率器件
恩智浦半導體擴張其業(yè)界領先的RF Power 晶體管產品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。
2008-11-25
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汽車電子：從喧囂回歸理性
在此次72屆電子展上，第六屆汽車電子論壇和汽車電子展區(qū)吸引了眾多元器件供應商和整機廠商的關注，新的產品應用讓設計工程師對汽車電子設計思路和應用有了新的認識。雖然目前國內汽車電子企業(yè)研發(fā)主要集中在汽車娛樂和導航系統(tǒng)，但未來必然會參與動力、安全等核心系統(tǒng)的開發(fā)，設計工程師需要深刻的理解基礎電子元器件在汽車上的應用，對傳感器、執(zhí)行器、電容、電阻、ESD保護以及功率器件的知識融會貫通，才能更好地和電子元器件供應商合作，進行同步開發(fā)。
2008-11-20
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汽車電子功率MOSFET
經過數(shù)年的發(fā)展，如今汽車內部的功率器件和設計考慮事項在廣度方面已取得了長足的進步。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件變革的新型應用。還將探討實現(xiàn)當前汽車電子系統(tǒng)功率MOSFET的一些發(fā)展狀況。這些發(fā)展將有助于促進汽車電子行業(yè)向前。
2008-11-05
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功率器件熱設計及散熱計算
本文主要探討電子設備熱失效的問題，通過對功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計算，得出散熱方式的設計和散熱器的選擇。
2008-10-24
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IGBT 在不間斷電源中的應用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。
2008-10-16
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IGCT門極驅動電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應用領域，占主導地位的功率半導體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實用方面都存在一些缺陷。ABB半導體公司率先提出了一種新型功率半導體器件—IGCT。它的關鍵思想是將改進結構的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對IGCT門極驅動電路的結構和原理進行了介紹和分析。
2008-10-14
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