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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術
本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
IGBT 弧焊逆變電源 IGBT保護
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大功率半導體激光器驅動電源保護電路方案
半導體激光器本身的性質決定其抗浪涌沖擊能力差，這就要求驅動電源的穩(wěn)定度高，浪涌沖擊小，因此驅動電源中需要各種保護電路以滿足實際要求。通常用慢啟動電路、TVS（瞬態(tài)抑制器）吸收電路、限流電路等來防止浪涌沖擊及電流過大。本文在參考各種實用的保護電路基礎上，設計出應用大功率器件強制吸收...
2011-07-14
半導體激光器 驅動電源 保護電路
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PowerTrench MOSFET優(yōu)化同步整流方案
被稱為PowerTrench MOSFET的新型中壓功率MOSFET，針對同步整流進行了高度優(yōu)化，可為服務器電源或電信整流器提供更高的效率和功率密度。
2011-07-14
PowerTrench MOSFET 整流器 MOSFET
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Exar發(fā)布USB 3.0 電源分配開關系列
Exar 公司 (納斯達克: EXAR) 近日推出XRP252x系列電源分配開關，包括兩款單通道和兩款雙通道產品，均支持最新的USB 3.0標準以及此前所有的USB標準。XRP2525 和XRP2526針對VBUS 電源分配應用進行優(yōu)化，保證每通道900mA的持續(xù)電流，并具有可控型上升/下降時間以及增強型端口保護等功能。XRP2527 和 XR...
2011-07-14
USB 3.0 電源 分配開關 限流
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Solarbuzz：光伏設備明年訂單驟降
國際光伏行業(yè)研究機構Solarbuzz 7月12日在上海發(fā)布光伏設備季報顯示，用于晶硅鑄錠到組件和薄膜面板制造的光伏設備資金支出預計在2012年迅速下降至76億美金，相較于2011年預期創(chuàng)紀錄的142億美金年度降幅為47%。這將影響光伏設備廠商在2011年下半年的營收和對2012年業(yè)績的預期。
2011-07-14
Solarbuzz 光伏設備 晶硅
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CHT-GANYMEDE:CISSOID發(fā)布的二極管可承受80V反向電壓
高溫半導體方案的領導者CISSOID，推出了CHT-GANYMEDE“木衛(wèi)三”，一高溫80伏雙串列小信號二極管裝在一個小型密封的TO-18金屬封裝中。這個新的器件是由兩個二極管串聯(lián)連接而成，可以承受80V反向電壓，在攝氏225度時最大正向電流為300mA并適用攝氏-55度至攝氏225度工作。這雙二極管是一種通用分立元件，...
2011-07-14
小信號二極管 CHT-GANYMEDE 反向電壓 整流
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iSuppli：MEMS純模式廠商表現(xiàn)出色 產業(yè)合作增多
據IHS iSuppli公司的研究表明，意法半導體(STM)在2010年仍然是最大的MEMS傳感器生產商，營業(yè)收入幾乎是排名第二的德州儀器的5倍，STM排名居首。
2011-07-14
iSuppli MEMS 意法
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Expo Pack亮相中國國際消費電子博覽會
中國國際消費電子博覽會是面向全球消費電子新技術和新產品展示的專業(yè)性展會，展會在工業(yè)基礎雄厚和家電電子發(fā)展強勁的青島舉辦，系統(tǒng)架構工程師、工業(yè)設計工程師、軟件設計工程師、專業(yè)采購人員等構成了展會觀眾的主體。Expo Pack通過這個展會的發(fā)行有效覆蓋中國東部重要的海濱港口城市區(qū)域的消費電...
2011-07-14
Expo Pack 青島 消費電子
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析
許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評定這些參數(shù)對其的影響，以及在哪些應用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時探討功率MOSFET在非鉗位感性開關條件下的工作狀態(tài)。
2011-07-14
MOSFET 雪崩能量 UIS
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