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緊抓需求，強(qiáng)勢突圍！第21屆中國國際機(jī)電產(chǎn)品博覽會(huì)將于11月在武漢啟幕！
作為國務(wù)院批準(zhǔn)的國家三大機(jī)電展之一，第21屆中國國際機(jī)電產(chǎn)品博覽會(huì)（簡稱：機(jī)博會(huì)）將于2020年11月17-20日在武漢國際博覽中心盛大開幕，參觀預(yù)登記入口現(xiàn)已開啟！
2020-08-07
機(jī)電產(chǎn)品 工業(yè)自動(dòng)化
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著...
2020-08-07
GaN器件 開關(guān)模式 降低損耗
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功能豐富的系統(tǒng)需要采用靈活、可配置的20V大電流PMIC
隨著技術(shù)不斷進(jìn)步，所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多，可用空間卻在不斷減少。手機(jī)有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車儀表盤上只有基本的AM收音機(jī)和少量簡易的儀表，現(xiàn)在卻裝滿了精密的儀器儀表、衛(wèi)星收音機(jī)、藍(lán)牙?、GPS和其他基于手機(jī)的網(wǎng)絡(luò)連接、多彩車燈以及無數(shù)的USB...
2020-08-07
系統(tǒng) 靈活 大電流PMIC
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阻礙電源設(shè)計(jì)成功的因素有哪些？
PCB設(shè)計(jì)能“一次成功”已成為電子行業(yè)最強(qiáng)烈的訴求。以電源產(chǎn)品為例，PCB設(shè)計(jì)會(huì)直接影響電源的EMC性能、輸出噪聲、抗干擾能力，甚至是基本功能。更為重要的是，PCB設(shè)計(jì)成功與否直接影響著產(chǎn)品的上市時(shí)間。
2020-08-06
電源設(shè)計(jì)
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GaN將能源效率推升至新高度！
勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)[1]在2016年所做的一項(xiàng)研究表明，2020年美國數(shù)據(jù)中心將要消耗的能源預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到730億千瓦時(shí)——這是一個(gè)天文數(shù)字。只要我們對(duì)計(jì)算密集型數(shù)據(jù)服務(wù)的需求不斷增加，那么，在更小的空間內(nèi)提供更多能量以盡可能高效地運(yùn)行這些中心，就會(huì)是必...
2020-08-06
GaN 能源效率
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LDO在IoT中省電的兩種方法
隨著物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。我們?cè)鯓硬拍苁购銣仄鳌⒋箝T、門鈴、安防系統(tǒng)...
2020-08-06
LDO IoT 省電方法
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如何設(shè)計(jì)一款安靜且緊湊的工業(yè)用電源
工業(yè)用電源設(shè)計(jì)工程師們面臨著眾多供電挑戰(zhàn)；其中一個(gè)主要難題就是輸入電壓范圍的大幅變化。其中的原因有很多，其中就包括設(shè)計(jì)對(duì)遠(yuǎn)距離的支持。例如，工廠會(huì)有一條在整個(gè)建筑內(nèi)進(jìn)行傳輸?shù)闹麟妷很?。由于阻抗、以及感?yīng)電壓和連接至電源不同位置的設(shè)備所導(dǎo)致的噪聲，或者大型電感和電容元件所引起的...
2020-08-06
工業(yè)用電源 噪聲 重度負(fù)載
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不加組件也不漲尺寸，教你如何改善你的無線充電器！
小尺寸可穿戴設(shè)備越來越多地采用無線充電，因?yàn)檫@樣無需使用充電線，在設(shè)備上也無需配備外露式接口。對(duì)于充電電流小于10 mA的應(yīng)用，由于功耗很低，因此無需在無線充電器接收器和發(fā)射器之間實(shí)施閉環(huán)控制。
2020-08-05
無線充電器 可穿戴設(shè)備
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可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝新器件結(jié)構(gòu)問世
東京——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（簡稱“東芝”）今日宣布了一種可提高碳化硅（SiC）MOSFET[1]可靠性的新器件結(jié)構(gòu)問世。相較于東芝的典型器件結(jié)構(gòu)，MOSFET內(nèi)嵌的肖特基勢壘二極管[2]（SBD）可在抑制導(dǎo)通電阻增大的同時(shí)，將器件結(jié)構(gòu)的可靠性提高10倍以上[3]。
2020-08-05
碳化硅 MOSFET 可靠性 東芝 新器件結(jié)構(gòu)
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