-
SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進...
2008-12-15
SiB800EDK 便攜式電子設(shè)備 MOSFET 肖特基二極管
-
45所：太陽能光伏設(shè)備生力軍
面對全球金融危機，45所利用市場淡季加緊修煉內(nèi)功，進行產(chǎn)品技術(shù)升級和換代，提高設(shè)備技術(shù)附加值，積極開發(fā)新品應(yīng)對市場調(diào)整的需求。
2008-12-12
微電子、半導(dǎo)體照明 LED 太陽能光伏 分立器件 光學(xué)元件 特種材料
-
三菱化學(xué)將優(yōu)先投資白色LED及車載鋰電池材料
三菱化學(xué)2008年12月9日召開了經(jīng)營方針說明會，宣布今后將優(yōu)先投資白色LED及車載鋰離子充電電池材料兩大領(lǐng)域。該公司08年5月便發(fā)布了中期經(jīng)營計劃，受最近經(jīng)營環(huán)境惡化的影響，此次又推出了追加措施等。
2008-12-12
LED 鋰離子充電電池 照明器具 液晶電視 背照燈
-
SiP4613A/B ：Vishay新型高端負(fù)載開關(guān)器件
日前，Vishay推出一款新型有保護的高端負(fù)載開關(guān)-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進一步擴充了其電流限制保護負(fù)載開關(guān)系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運行，并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
負(fù)載開關(guān) SiP4613A/B 電源管理 電流限制 開關(guān)
-
B25836B*A305：愛普科斯最新堅固型PFC電容器
愛普科斯已經(jīng)開發(fā)出了結(jié)構(gòu)堅固的新系列PFC電容器。該產(chǎn)品基于MKV技術(shù)，其特點是耐高溫和工作壽命長?？商峁┕ぷ黝l率為50/60 Hz時電壓為400-800V的B25836B*A305系列電容器。它們的無功功率范圍是5-30 kvar。沖擊電流可達額定電流的500倍，過電流承受能力是額定電流的3倍。
2008-12-08
PFC電容器 電容器
-
電動車將打破新能源車格局 自主品牌迎新機會
比亞迪雙模電動車F3DM將于本月中旬上市的消息讓新能源車話題再一次成為媒體討論的焦點。到目前為止，中國市場在售的新能源乘用車全部為混合動力車型，且市場全部由合資品牌壟斷。在電動車的市場化領(lǐng)域，這一次自主品牌走在了市場的前面，此前通用汽車曾宣布其首款純電動汽車雪佛蘭Volt將于2011年登...
2008-12-08
F3DM 雪佛蘭 Volt 汽車電子 雙模電動車 混合動力
-
明年夏普或?qū)⒅氐翘柲茈姵禺a(chǎn)量全球首位
法國調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡稱Yole)的數(shù)據(jù)顯示，2008年夏普排名全球太陽能電池生產(chǎn)能力的首位(《PV Fab Database 2008 IV日語版》)。然而，夏普的實際生產(chǎn)量在2007年被德國Q-Cells公司超過。2008年很有可能被中國的尚德電力(Suntech Power)趕超，從而下滑到第3位。其主要原因是多晶硅原...
2008-12-08
多晶硅 太陽能電池 薄膜型太陽能電池 結(jié)晶型太陽能電池
-
比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團收購主要用于生產(chǎn)手機金屬部件的設(shè)備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團出售供生產(chǎn)耳機及切割液晶顯示屏保護膜的設(shè)備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機金屬部件 液晶顯示屏保護膜 鋰電池 柔性印制電路板
-
Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
- 突破效率極限：降壓-升壓穩(wěn)壓器直通模式技術(shù)解析
- 高效與靜音兼得：新一代開關(guān)電源如何替代LDO？
- 寬禁帶半導(dǎo)體賦能：GaN射頻放大器的應(yīng)用前景
- 偏置時序全解析：避免pHEMT射頻放大器損壞的關(guān)鍵技巧
- 風(fēng)電變流器邁入碳化硅時代：禾望電氣集成Wolfspeed模塊實現(xiàn)技術(shù)跨越
- 談?wù)剬Φ夏芗す馄放粕墤?zhàn)略的看法
- 從5W到3kW+，安森美SMPS矩陣承包豐富場景電源管理需求
- AI驅(qū)動，數(shù)據(jù)賦能丨造物數(shù)科再度入選“百項數(shù)據(jù)管理優(yōu)秀案例”
- 打印機之都” 放大招？第二屆中國打印機大會引發(fā)全行業(yè)聚焦
- 中國汽研聯(lián)合促進會啟動"質(zhì)量向新"行動 智能底盤系列標(biāo)準(zhǔn)研究正式啟動
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
