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松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV，導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費(fèi)類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。
2008-12-22
半導(dǎo)體 二極管 消費(fèi)電子 電氣設(shè)備 分立器件 導(dǎo)通電阻
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松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV，導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費(fèi)類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。
2008-12-22
半導(dǎo)體 二極管 消費(fèi)電子 電氣設(shè)備 分立器件 導(dǎo)通電阻
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業(yè)界首個(gè)采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應(yīng)用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業(yè)界首個(gè)采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應(yīng)用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業(yè)界首個(gè)采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應(yīng)用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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電子元器件S參數(shù)的含義和用途
在進(jìn)行射頻、微波等高頻電路設(shè)計(jì)時(shí)，節(jié)點(diǎn)電路理論已不再適用，需要采用分布參數(shù)電路的分析方法，這時(shí)可以采用復(fù)雜的場(chǎng)分析法，但更多地時(shí)候則采用微波網(wǎng)絡(luò)法來(lái)分析電路，對(duì)于微波網(wǎng)絡(luò)而言，最重要的參數(shù)就是S參數(shù)。在個(gè)人計(jì)算機(jī)平臺(tái)邁入 GHz階段之后，從計(jì)算機(jī)的中央處理器、顯示界面、存儲(chǔ)器總線到...
2008-12-19
S參數(shù) 射頻 微波 分散參數(shù) 集總電路
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松下敲定收購(gòu)三洋
據(jù)日本媒體報(bào)道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購(gòu)三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。
2008-12-19
電器 消費(fèi)電子 可充電電池 電池
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松下敲定收購(gòu)三洋
據(jù)日本媒體報(bào)道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購(gòu)三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。
2008-12-19
電器 消費(fèi)電子 可充電電池 電池
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松下敲定收購(gòu)三洋
據(jù)日本媒體報(bào)道，松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購(gòu)三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。
2008-12-19
電器 消費(fèi)電子 可充電電池 電池
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