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IRJH3：TDK-EPC公司開發(fā)出磁性抑制片適用高頻帶噪音抑制
TDK股份有限公司旗下子公司TDK-EPC公司(社長:上釜健宏,以下簡稱TDK-EPC)開發(fā)了在降低各種電子設(shè)備的IC及印刷電路板產(chǎn)生的輻射噪音上發(fā)揮優(yōu)異性能的新型磁性抑制片「IRJH3」，預(yù)定于今年10月開始量產(chǎn)。
2010-09-20
IRJH3 磁性抑制片 噪音抑制 高頻帶
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IRJH3：TDK-EPC公司開發(fā)出磁性抑制片適用高頻帶噪音抑制
TDK股份有限公司旗下子公司TDK-EPC公司(社長:上釜健宏,以下簡稱TDK-EPC)開發(fā)了在降低各種電子設(shè)備的IC及印刷電路板產(chǎn)生的輻射噪音上發(fā)揮優(yōu)異性能的新型磁性抑制片「IRJH3」，預(yù)定于今年10月開始量產(chǎn)。
2010-09-20
IRJH3 磁性抑制片 噪音抑制 高頻帶
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儀器儀表行業(yè)亟待突破“可靠性”瓶頸
與國外發(fā)達(dá)國家產(chǎn)品和技術(shù)相比，國產(chǎn)儀器儀表雖然技術(shù)指標(biāo)同國外同類產(chǎn)品比較差距不大，但國產(chǎn)儀器儀表在使用的可靠性和穩(wěn)定性方面和國外產(chǎn)品差距很大。工業(yè)發(fā)達(dá)國家的經(jīng)驗(yàn)表明，要打開國際市場，在市場競爭中取勝，必須首先提升產(chǎn)品的可靠性。美國認(rèn)為產(chǎn)品質(zhì)量的核心在可靠性，抓可靠性可以創(chuàng)造奇...
2010-09-20
儀器 儀表 可靠性 穩(wěn)定性
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35億觸摸屏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值 中國制造的新機(jī)遇
據(jù)iSuppli預(yù)測(cè)，從2006年到2012年，主要觸摸屏技術(shù)的銷售額將增長近一倍，達(dá)到44億美元，到2010年觸摸屏產(chǎn)值將達(dá)到35億美元。國家從2008年開始啟動(dòng)支持觸摸屏產(chǎn)業(yè)化的重大專項(xiàng)，產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開始發(fā)展，但是技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規(guī)模還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。在未來“中國制造”能否在觸摸屏領(lǐng)域發(fā)展壯大?
2010-09-20
觸摸屏 手機(jī) 顯示器
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物聯(lián)網(wǎng)帶動(dòng)傳感器芯片發(fā)展 需實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化
9月15日消息，目前我國雖然在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域起步較早，也取得了一些成績，但是改變不了我國國內(nèi)傳感器芯片普遍依靠進(jìn)口的事實(shí)，這種依賴極大地制約了我國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2010-09-17
RFID 傳感器 物聯(lián)網(wǎng)
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成本續(xù)降電容觸控?fù)屵M(jìn)低價(jià)智能手機(jī)
在廠商的努力下，藉由采用創(chuàng)新觸控控制IC和新型單層觸控屏幕設(shè)計(jì)，電容式觸控解決方案成本不斷降低，除已逐漸滲透到智能型手機(jī)(Smart PhONe)中，也有機(jī)會(huì)進(jìn)入功能型手機(jī)(Feature Phone)與手機(jī)廠商計(jì)劃推出的100美元低價(jià)智能型手機(jī)中。
2010-09-17
電容觸控 智能手機(jī) 成本低
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成本續(xù)降電容觸控?fù)屵M(jìn)低價(jià)智能手機(jī)
在廠商的努力下，藉由采用創(chuàng)新觸控控制IC和新型單層觸控屏幕設(shè)計(jì)，電容式觸控解決方案成本不斷降低，除已逐漸滲透到智能型手機(jī)(Smart PhONe)中，也有機(jī)會(huì)進(jìn)入功能型手機(jī)(Feature Phone)與手機(jī)廠商計(jì)劃推出的100美元低價(jià)智能型手機(jī)中。
2010-09-17
電容觸控 智能手機(jī) 成本低
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IR 推出P 溝道功率 MOSFET適用于直流應(yīng)用開關(guān)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或...
2010-09-17
MOSFET IR 直流開關(guān)
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IR 推出P 溝道功率 MOSFET適用于直流應(yīng)用開關(guān)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或...
2010-09-17
MOSFET IR 直流開關(guān)
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