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測試測量

長電科技將打造世界級半導(dǎo)體封測企業(yè)

今年1-4月，我國電子信息產(chǎn)品累計進(jìn)出口總額2016.93億美元，同比下降26.01%;電子信息產(chǎn)品累計出口1207.2億美元，同比下降24.15%。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2009年1-6月，中國IC封測行業(yè)僅完成219.8億元銷售額，同比下降38.6%。對長電科技而言，2009年以來公司在經(jīng)營上也遭遇了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

2009-10-14

長電進(jìn)出口電子

臺灣連接器企業(yè)主推LED照明及車用電子

臺灣連接器市場受惠于臺灣像是PC、NB、監(jiān)視器、主機(jī)板或安全監(jiān)控系統(tǒng)等產(chǎn)業(yè)規(guī)模的興盛，連帶的讓臺灣連接器產(chǎn)業(yè)的總體產(chǎn)值推升到全球第3大，同時每年的年增長率也都優(yōu)于全球連接器產(chǎn)業(yè)的平均水準(zhǔn)。

2009-10-13

臺灣連接器 LED照明車用電子

太陽能未來3年重啟成長動能

2008年全球太陽能裝置量約5.6GW。預(yù)估到2010年，全球太陽能裝置量約8.5GW，整體亞洲市場由2008年的5%成長到20%。摩根士丹利亞洲科技產(chǎn)業(yè)研究主管暨董事總經(jīng)理古塔預(yù)測隨著潛在供給同步成長，到2013年以前持續(xù)供過于求。

2009-10-13

摩根士丹利太陽能

2920A型:吉時利發(fā)布射頻矢量信號發(fā)生器

先進(jìn)電子測試儀器與系統(tǒng)的世界級領(lǐng)導(dǎo)者吉時利儀器公司（NYSE：KEI），今天宣布對其流行的射頻矢量信號發(fā)生器產(chǎn)品線進(jìn)行功能升級，降低了信號產(chǎn)生的時間并增強(qiáng)了信號質(zhì)量。競爭對手的信號發(fā)生器往往需要用戶不得不在最佳的信號質(zhì)量和最大的測試吞吐量方面進(jìn)行權(quán)衡，而吉時利新款2920A型信號發(fā)生器在...

2009-10-12

吉時利射頻矢量信號發(fā)生器

iSuppli中國半導(dǎo)體市場今年下滑6.8% 2010年將大幅成長17.8%

2009 年中國半導(dǎo)體市場為682億美元，較去年下滑6.8%。相對于全球半導(dǎo)體市場的萎縮，中國市場的下滑要小的多。受經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球電子產(chǎn)品的產(chǎn)值為1.4萬億美元較2008年下降了9%。與此同時，全球半導(dǎo)體市場2009年將下降16.2%到2295億美元。但是在出口增長和內(nèi)需拉到的雙重作用下，中國半導(dǎo)體市場在2...

2009-10-12

半導(dǎo)體 iSuppli

電子元器件在電路仿真中的建模

計算機(jī)仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點，已被廣泛應(yīng)用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型，但是自帶模型庫永遠(yuǎn)跟不上電子元器件的更新速度。這里針對建模的重要性和必要性，研究當(dāng)前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型，提出...

2009-10-12

計算機(jī)仿真建模的參數(shù)建模法子電路建模法

FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲器開關(guān)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和便攜應(yīng)用設(shè)計人員提供兩款存儲器開關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴(kuò)展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。

2009-10-12

FSSD06 FSSD07 開關(guān) 便攜應(yīng)用手機(jī)

FDFME3N311ZT：飛兆半導(dǎo)體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計的效率。

2009-10-12

FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體

增強(qiáng)型VTAZ系列:Vishay推出超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻

Vishay推出增強(qiáng)型VTAZ系列超高精度Bulk Metal? Z箔軸向電阻,該電阻的改進(jìn)可直接替代所有領(lǐng)域的線繞電阻，在精度和穩(wěn)定性方面可直接替代薄膜電阻。

2009-10-12

Vishay VTAZ Bulk Metal 軸向電阻

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