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MEMS設(shè)計(jì)的高度復(fù)雜性的體現(xiàn)
針對(duì)困擾MEMS發(fā)展的制約因素，人們一直在尋求相應(yīng)的解決辦法。國(guó)外的研究結(jié)果顯示，MEMS的加工能力強(qiáng)于其設(shè)計(jì)能力。因此，提高M(jìn)EMS的設(shè)計(jì)能力就更為迫切。
2013-01-05
MEMS 器件 微機(jī)電
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適用于用于電信系統(tǒng)和POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的MOSFET
AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。
2013-01-05
MOSFET 電信系統(tǒng) 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
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比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)
消費(fèi)者要求智能手機(jī)等便攜/無(wú)線設(shè)備具有更多功能特性及采用纖薄型工業(yè)設(shè)計(jì)，這就要求設(shè)計(jì)人員要求更加注重小外形封裝之中的ESD及EMI性能。靜電放電(ESD)保護(hù)及電磁干擾(EMI)正在成為所有電氣設(shè)備越來(lái)越重要的考慮因素。本文將分析電路保護(hù)要求，比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)，介紹安森美半導(dǎo)體...
2013-01-05
電路保護(hù) 濾波 安森美
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低鉗位電壓的TVS，非常實(shí)用USB3.0 接口保護(hù)
由于USB3.0的速率非?？?，端口的ESD保護(hù)越來(lái)越重要，這就要求保護(hù)器件不能影響這個(gè)信號(hào)質(zhì)量。Semtech新的TVS最大的優(yōu)勢(shì)在于非常低的ESD鉗位電壓，這對(duì)敏感的USB3.0芯片起到很好的保護(hù)作用。
2013-01-05
TVS USB3.0 ESD
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適用于智能電網(wǎng)的新型鋰離子電容器
太陽(yáng)誘電開發(fā)出最高使用溫度高達(dá)85℃的圓筒型鋰離子電容器，在3.8V電壓下也可于70℃環(huán)境下工作，適用于智能電網(wǎng)、為SSD儲(chǔ)存服務(wù)器。
2013-01-05
電網(wǎng) 鋰離子 電容
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MDO能夠很好的解決EMI和EMC
MDO擁有獨(dú)特的功能，可以把多個(gè)域中的原因和結(jié)果關(guān)聯(lián)起來(lái)，這標(biāo)志著測(cè)試設(shè)備的根本性變革，在調(diào)試EMI問(wèn)題時(shí)打開了新的、當(dāng)然也是更簡(jiǎn)便的道路。
2013-01-05
MDO EMI EMC
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加快了故障解決和分析速度的HiFi功率放大器
HiFi功率放大器設(shè)計(jì)BOM，對(duì)多域信號(hào)分析的支持通過(guò)在多個(gè)域中確定問(wèn)題的根本原因加快了故障解決和分析速度。
2013-01-05
功率放大器 BOM 分析速度 故障解決
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一種對(duì)氧化鋅非線性電阻進(jìn)行測(cè)試的電源
氧化鋅非線性電阻是一種壓敏電阻器，用于電力系統(tǒng)保護(hù)已有30多年的歷史了，它具有保護(hù)效果好，節(jié)能、價(jià)廉等一系列優(yōu)點(diǎn)，因此，在發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子過(guò)電壓保護(hù)，剩磁吸收，及避雷器中有著不可替代的保護(hù)作用。
2013-01-03
氧化鋅非線性電阻 測(cè)試 電源
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淺析采取低閃變控制方式的新型整流電源
與交流電弧爐相比，直流電弧爐對(duì)電網(wǎng)的干擾和沖擊以及給電網(wǎng)造成的閃變要小得多。但是整流器整流輸出電壓Ud是晶閘管觸發(fā)角α的函數(shù)，為了降低整流輸出電壓，必須增大α，這會(huì)增大交流電壓和交流電流之間相移因數(shù)φ，因此增加了無(wú)功功率損耗，同時(shí)也降低了功率因數(shù)，為了使無(wú)功功率損耗盡可能小，電弧爐...
2012-12-31
低閃變控制 整流電源
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