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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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關(guān)于高速電路中的AC耦合電容
在很多高速串行信號中，都會使用到AC耦合電容，既然在設(shè)計高速串行電路時，任何一個小小的不同都會引起信號完整性問題，為什么要在串行鏈路中加入一個AC耦合電容呢？這個電容不僅會導(dǎo)致信號邊沿變得緩慢，還有可能會引起阻抗不連續(xù)。
2024-04-04
高速電路 AC耦合電容
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汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下，這三類的典型電路設(shè)計正在改變
汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向，而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展，以實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動駕駛支持?；趨^(qū)域控制器架構(gòu)帶來很多設(shè)計的機(jī)會與挑戰(zhàn)，例如SmartFET正越來越多替代傳統(tǒng)的MOSFET器件。
2024-04-04
汽車 控制器 電路設(shè)計
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意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度
隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用，設(shè)計人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝...
2024-04-03
意法半導(dǎo)體 肖特基整流二極管
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低壓MOS在新能源園林機(jī)械上的應(yīng)用
在歐美地區(qū)，以鋰電池為動力源的新能源園林機(jī)械迅速地替代著以往的燃油和交流電動力機(jī)器。而中國也將迎來一場風(fēng)暴式革命。園林工具是人類綠化景觀的養(yǎng)護(hù)設(shè)備，是以養(yǎng)護(hù)草坪、綠籬、保護(hù)花草、樹木為作業(yè)對象的，代替大部分手工勞動為代表的機(jī)械化工具。如：打草機(jī)、 鏈鋸、修枝機(jī)、割草機(jī)等。
2024-04-01
低壓MOS 新能源園林機(jī)械
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微型隔離式直流/直流模塊如何實現(xiàn)更高的功率密度
傳統(tǒng)的推挽式和反激式轉(zhuǎn)換器等隔離式輔助電源解決方案采用笨重、龐大且易受振動影響的變壓器，設(shè)計布局也因此變得復(fù)雜。帶有外部變壓器的隔離式輔助電源解決方案的設(shè)計也會影響性能效率，并會導(dǎo)致較高的輻射電磁干擾 (EMI)。
2024-03-28
微型隔離式直流 直流模塊 功率密度
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如何在速度更快、尺寸更小的應(yīng)用中精確檢測電機(jī)位置？
本文介紹工業(yè)自動化領(lǐng)域的設(shè)計人員在設(shè)計用于電機(jī)控制的位置檢測接口時面臨的常見問題，即在速度更快、尺寸更小的應(yīng)用中檢測位置。利用從編碼器捕獲的信息以便精確測量電機(jī)位置對于自動化和機(jī)器設(shè)備的成功運行很重要，快速、高分辨率、雙通道同步采樣模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)是此系統(tǒng)的重要組件。
2024-03-28
電機(jī)控制 機(jī)器設(shè)備
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美光捐助西安 "助愛小餐 "公益項目，為殘疾人創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會
全球領(lǐng)先的創(chuàng)新內(nèi)存及存儲解決方案廠商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布通過西安市善導(dǎo)公益慈善協(xié)會向西安市助愛小餐社區(qū)殘疾人就業(yè)項目捐贈110余萬元人民幣。為了響應(yīng)西安市殘疾人勞動就業(yè)服務(wù)中心倡導(dǎo)的社區(qū)殘疾人“就近就地就便”的就業(yè)項目，這筆...
2024-03-28
美光
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【測試解讀】ESD保護(hù)設(shè)計中的傳輸線脈沖TLP，怎么測？
隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導(dǎo)致了這類器件對靜電的要求越來越高。
2024-03-27
測試 ESD保護(hù) 脈沖TLP
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