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毫米級電源革命：三款旗艦LDO如何重塑終端供電格局？
在智能終端向微型化、高集成度加速演進的浪潮中，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）作為電源管理的核心組件，正經歷一場靜默卻深刻的技術變革?？臻g利用率、靜態(tài)功耗、低壓輸入能力已成為衡量LDO性能的關鍵維度，直接決定著終端設備的續(xù)航能力、功能擴展?jié)摿εc可靠性表現(xiàn)。本文聚焦艾為電子AW37334YXXXFOR、...
2025-07-23
超微型LDO 低靜態(tài)電流IC 納安級功耗 FOWLP封裝 LDO選型指南
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再創(chuàng)佳績！貿澤電子2024年狂攬全球制造商25+項頂尖代理大獎
貿澤電子 (Mouser Electronics)，全球知名的電子元器件新品引入 (NPI) 領導者，2024年載譽前行！憑借卓越的代理服務與市場表現(xiàn)，公司成功贏得全球頂級制造商合作伙伴的高度認可，一舉攬獲超25項年度大獎，其中包括多項極具分量的“年度代理商”(DOY) 榮譽。
2025-07-22
貿澤電子 Mouser Electronics 電子元器件代理商 半導體代理商 NPI 代理商 電子元器件分銷商
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對話新維度：解鎖內在自我與外部世界的密鑰
在這個高速發(fā)展的時代，無論是健身、競技、興趣活動，還是康復訓練，對身體表現(xiàn)的感知與理解，正成為提升表現(xiàn)、實現(xiàn)突破的關鍵。如今，先進技術正為我們架起一座橋梁，將每一次身體活動轉化為有價值的洞察，幫助我們更聰明地訓練、更高效地恢復、并持續(xù)提升表現(xiàn)。
2025-07-21
自我溝通 內在探索 世界溝通 聯(lián)結方式 人際溝通 跨文化溝通
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AI應用的“安全鎖”：安全閃存技術在滿足行業(yè)認證中的作用
人工智能（AI）應用的廣泛采用變革了眾多行業(yè)，它提升了效率、準確性和創(chuàng)新能力。從客服聊天機器人到各類創(chuàng)意活動，AI技術已成為現(xiàn)代科技不可或缺的核心組成部分。
2025-07-21
安全鎖
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高頻噪聲克星：磁珠電感核心技術解析與全球產業(yè)格局
磁珠電感（Ferrite Bead）是一種由鐵氧體材料制成的抗干擾元件，其核心功能是抑制高頻噪聲。不同于傳統(tǒng)電感，磁珠利用鐵氧體的高頻損耗特性將電磁干擾轉化為熱能消耗，而非儲存能量。從結構上看，磁珠由鐵氧體磁芯和貫穿導體制成，形成“單匝線圈”結構，這種設計使其分布電容顯著低于多匝繞線電感。
2025-07-18
磁珠電感選型指南 高Q值磁珠電感 國產磁珠替代方案 汽車級AEC-Q200磁珠 高速信號磁珠應用
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安謀科技CEO陳鋒：立足全球標準與本土創(chuàng)新，賦能AI計算“芯”時代
2025中國集成電路設計創(chuàng)新大會暨IC應用生態(tài)展（ICDIA 2025）在蘇州金雞湖國際會議中心正式啟幕。安謀科技（中國）有限公司（以下簡稱“安謀科技”）CEO陳鋒受邀出席高峰論壇，并發(fā)表題為《立足全球標準與本土創(chuàng)新，賦能AI計算“芯”時代》的主旨演講。聚焦新興AI大模型技術趨勢，陳鋒系統(tǒng)性地闡述了安謀...
2025-07-18
安謀科技 AI計算
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線繞電感技術全景：從電磁原理到成本革命
線繞電感作為電子電路中的基礎被動元件，通過導線在磁芯或骨架上纏繞形成線圈，利用電磁感應原理實現(xiàn)電能與磁能的相互轉換。當電流通過線圈時產生磁場，磁場變化又反作用于電流，形成對電流變化的阻礙特性，這一特性被廣泛應用于濾波、儲能和阻抗匹配等場景。其電感量（L）由公式 L = (μN2A)/l 決定...
2025-07-18
線繞電感 高電流電感選型指南 TDK 線圈
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14.4Gbps 狂飆！Cadence 全球首發(fā) LPDDR6/5X IP 點亮下一代 AI
楷登電子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片業(yè)界首款LPDDR6/5X內存IP系統(tǒng)解決方案，支持14.4Gbps超高速率，較前代LPDDR DRAM性能提升50%。該方案專為新一代AI基礎設施設計，可滿足大語言模型（LLM）、智能代理等計算密集型應用對內存帶寬與容量的嚴苛需求。目前，Cadence正與全球頭部AI、高性能...
2025-07-17
Cadence LPDDR6/5X 內存 IP AI 高性能計算
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優(yōu)勢解析
隨著全球對能源可持續(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、...
2025-07-16
TI GaN FET逆變器設計 10kW串式逆變器方案 GaN與IGBT性能對比 GaN功率密度
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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