技術(shù)領(lǐng)先的中國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造商——蘇州固锝參展 2024 華南展

5月15日-17日，一家技術(shù)領(lǐng)先的中國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造商——蘇州固锝電子股份有限公司參展AUTO TECH 2024 廣州國(guó)際汽車技術(shù)展覽會(huì)，與您相約廣州保利世貿(mào)博覽館。作為汽車科技創(chuàng)新展示平臺(tái)，組委會(huì)將邀請(qǐng)諸如廣汽、比亞迪、日產(chǎn)、豐田、本田、特斯拉、小鵬、蔚來(lái)、理想、東風(fēng)、長(zhǎng)安、上汽、吉利、長(zhǎng)城...

2024-04-23

半導(dǎo)體器件制造商

羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議，擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆 (東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長(zhǎng)期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴(kuò)大合作。根...

2024-04-23

羅姆集團(tuán)  SiCrystal  意法半導(dǎo)體  碳化硅

MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡(jiǎn)介

MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設(shè)和加速器，可提供多任務(wù)功能和高能效。部分MCX N系列產(chǎn)品包含恩智浦面向機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的eIQ? Neutron神經(jīng)處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強(qiáng)了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲(chǔ)器和帶ECC檢測(cè)的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護(hù)和保證。這些安全MCU包含...

2024-04-23

MCX N  微處理器  NPU

低壓MOS在光伏優(yōu)化器(MPPT)上的應(yīng)用

光伏優(yōu)化器，英名簡(jiǎn)稱MPPT，又稱光伏功率優(yōu)化器和組件功率優(yōu)化器，是一種智能設(shè)備，旨在提高光伏組件的能源效率和穩(wěn)定性。

2024-04-21

低壓MOS  光伏優(yōu)化器  REASUNOS  瑞森半導(dǎo)體

高帶寬電源模塊消除高壓線路紋波抑制的干擾

汽車電氣化可能是我們這個(gè)時(shí)代影響最廣的電源挑戰(zhàn)。這是汽車 OEM 廠商在從內(nèi)燃機(jī)向純電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型的過(guò)程中面臨的一個(gè)全球性問(wèn)題。各地的研發(fā)團(tuán)隊(duì)都在探索新的方法，試圖找到更好的解決方案來(lái)解決新舊電源的難題。

2024-04-20

高帶寬  電源模塊  紋波抑制  干擾

意法半導(dǎo)體公布2024年第一季度財(cái)報(bào)和電話會(huì)議時(shí)間安排

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)將在2024年4月25日歐洲證券交易所開(kāi)盤前公布2024年第一季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。

2024-04-18

意法半導(dǎo)體

設(shè)計(jì)具有 AMR 角度傳感器的位置感應(yīng)系統(tǒng)

隨著各國(guó)政府出臺(tái)舉措來(lái)推動(dòng)減少內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車排放的溫室氣體，原始設(shè)備制造商 (OEM) 紛紛將機(jī)械系統(tǒng)重新設(shè)計(jì)為電子控制系統(tǒng)。高水平的系統(tǒng)連接和智能技術(shù)使自動(dòng)駕駛汽車成為現(xiàn)實(shí)，因此市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品和軟件算法的需求不斷增長(zhǎng)，以符合包括國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 26262 在內(nèi)的各項(xiàng)安全要求。

2024-04-17

AMR 角度傳感器  位置感應(yīng)系統(tǒng)

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項(xiàng)技術(shù)更進(jìn)一步。這些器件基于獨(dú)特...

2024-04-15

Qorvo  SiC FET  SiC MOSFET

加速汽車電氣化：釋放封裝創(chuàng)新的力量

我們知道與大多數(shù)人成長(zhǎng)過(guò)程中所乘坐的傳統(tǒng)汽車相比，今天的汽車更接近于輪子上的電子產(chǎn)品——盡管我們?cè)?jīng)對(duì)其引擎蓋下的內(nèi)部工作和控制感到驚嘆，但現(xiàn)代汽車已將其變?yōu)閺?fù)雜的計(jì)算機(jī)。近年來(lái)，隨著設(shè)計(jì)人員尋求減輕重量、提高可靠性、簡(jiǎn)化車輛組裝、創(chuàng)造差異化功能以及實(shí)施先進(jìn)的駕駛輔助和自動(dòng)駕駛...

2024-04-15