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42 V、6 A（峰值7 A）、超低EMI輻射、高效率降壓型穩(wěn)壓器
LT8640S/LT8643S是42 V、6 A連續(xù)電流/7 A峰值電流單片式降壓型穩(wěn)壓器，采用第二代Silent Switcher? 2架構(gòu)。Silent Switcher穩(wěn)壓器通過(guò)將高頻環(huán)路一分為二來(lái)抑制EMI輻射，分離環(huán)路產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互抵消。單片式降壓型穩(wěn)壓器LT8640S和LT8643S集緊湊布局、高效率和超低EMI于一體，非常適合汽車環(huán)境應(yīng)用。
2018-11-05
EMI輻射 降壓型穩(wěn)壓器 LT8640S/LT8643S
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傳感器融合將更進(jìn)一步成為常態(tài)
從最近在法國(guó)格勒諾布爾市(Grenoble)舉行的歐洲MEMS與傳感器高峰會(huì)(European MEMS & Sensors Summit)明顯可以看到，傳感器變得越來(lái)越復(fù)雜、精巧且極其智慧化，并持續(xù)普及于現(xiàn)代生活的各個(gè)領(lǐng)域。隨著傳感器不斷收集龐大的數(shù)據(jù)，以便讓車輛實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、城市和工廠變得更加智慧，我們看到許多關(guān)于傳感...
2018-11-05
傳感器 融合 汽車電子 AI
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逐步講解ESD保護(hù)的原理及注意點(diǎn)
如何在電路里面涉及保護(hù)電路，當(dāng)外界有靜電的時(shí)候我們的電子元器件或系統(tǒng)能夠自我保護(hù)避免被靜電損壞(其實(shí)就是安裝一個(gè)避雷針)。這也是很多IC設(shè)計(jì)和制造業(yè)者的頭號(hào)難題，很多公司有專門(mén)設(shè)計(jì)ESD的團(tuán)隊(duì)，今天我就和大家從最基本的理論講起逐步講解ESD保護(hù)的原理及注意點(diǎn)。
2018-11-02
ESD保護(hù)
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影響鋰離子電池低溫性能的因素有哪些？
隨著鋰離子電池在電動(dòng)汽車及軍工領(lǐng)域應(yīng)用的迅速發(fā)展，其低溫性能不能適應(yīng)特殊低溫天氣或極端環(huán)境的缺點(diǎn)也愈發(fā)明顯。低溫條件下，鋰離子電池的有效放電容量和有效放電能量都會(huì)有明顯的下降，同時(shí)其在低于－10℃的環(huán)境下幾乎不可充電，這嚴(yán)重制約著鋰離子電池的應(yīng)用。
2018-11-02
鋰離子電池 低溫性能 因素
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動(dòng)力電池和儲(chǔ)能電池各有什么優(yōu)缺點(diǎn)
儲(chǔ)能主要是指電能的儲(chǔ)存。儲(chǔ)能又是石油油藏中的一個(gè)名詞，代表儲(chǔ)層儲(chǔ)存油氣的能力。儲(chǔ)能本身不是新興的技術(shù)，但從產(chǎn)業(yè)角度來(lái)說(shuō)卻是剛剛出現(xiàn)，正處在起步階段。
2018-11-02
動(dòng)力電池 儲(chǔ)能電池各 優(yōu)缺點(diǎn) 電源 電容
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高壓貼片電容的分類與性能參數(shù)
貼高壓片電容還有一個(gè)名字，就是陶瓷多層片式電容器，可以視其為一種用陶瓷粉的生產(chǎn)工藝，其內(nèi)部為貴金屬鈀金構(gòu)造，它是通過(guò)高溫?zé)Y(jié)法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O而制成。以下將介紹高壓貼片電容的分類與性能參數(shù)。
2018-11-01
高壓貼片電容 陶瓷多層片式電容器
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功率MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)詳解
以下將詳細(xì)介紹功率MOSFET最基礎(chǔ)的知識(shí)，包括：什么是MOSFET，MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、基本特性、幾個(gè)常用參數(shù)、選型原則等，保證大家看完就懂！
2018-11-01
MOSFET
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全面講解電磁干擾，值得學(xué)習(xí)
這里講全面講解有關(guān)電磁干擾的存在方式、類型、對(duì)設(shè)備工作的影響、屏蔽方法、EMC問(wèn)題來(lái)源、金屬屏蔽效率、EMI抑制策略等等，值得大家學(xué)習(xí)。
2018-11-01
電磁干擾 EMC EMI
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MOSFET開(kāi)關(guān)問(wèn)題詳細(xì)解析
我們先來(lái)看以下問(wèn)題：為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢？在t0到t1和t2到t3這段時(shí)間內(nèi)是開(kāi)關(guān)管的哪個(gè)時(shí)期呢？首先我們來(lái)解釋問(wèn)題，為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢？
2018-10-31
MOSFET 開(kāi)關(guān)
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