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電源轉(zhuǎn)換模塊的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
電氣化是第二次工業(yè)革命的典型標(biāo)志。雖然我們當(dāng)下正在推動(dòng)以“工業(yè)4.0”為代表的第四次工業(yè)革命，但電力依然是國(guó)民經(jīng)濟(jì)和人民生活主要的能量來源。隨著新能源理念的推行，電氣化的滲透率在穩(wěn)步上升。
2022-02-28
電源轉(zhuǎn)換 模塊 優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
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電動(dòng)車48V電源系統(tǒng)的選擇，寬壓輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器
DC/DC轉(zhuǎn)換器是一種將直流輸入電壓進(jìn)行處理后，輸出可變電壓的轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器主要分為升壓型、降壓型和升降壓型三大類，可通過PWM、PFM對(duì)其進(jìn)行控制，在消費(fèi)類電子、醫(yī)療、工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子等領(lǐng)域均有不同程度的滲透。
2022-02-24
電動(dòng)車 48V電源系統(tǒng) DC/DC轉(zhuǎn)換器
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汽車電子中的電磁干擾生成、傳播與抑制（下）
本文為探討EMI 問題建模與分析策略的兩篇系列文章之下篇，上篇 探討了降低差模 (DM) 噪聲和共模 (CM) 噪聲這兩種傳導(dǎo)EMI的方法，本文則涵蓋了基于戴維南定理的輻射 EMI 建模策略以及接地阻抗降低技術(shù)。
2022-02-24
汽車電子 電磁干擾 傳播與抑制
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Arm全新汽車圖像信號(hào)處理器 加速駕駛輔助與自動(dòng)化技術(shù)的導(dǎo)入
Arm宣布推出Arm? Mali?-C78AE ISP，為其專為汽車應(yīng)用的性能和安全而設(shè)計(jì)的IP產(chǎn)品組合再添新成員。搭配Cortex?-A78AE與Mali-G78AE的Mali-C78AE，可提供完整的ADAS圖像數(shù)據(jù)處理流水線，能夠優(yōu)化性能、最大限度地降低功耗，并提供一致的方法來實(shí)現(xiàn)功能安全，從而驅(qū)動(dòng)ADAS在下一階段的量產(chǎn)導(dǎo)入。
2022-02-22
Arm 汽車圖像信號(hào)處理器 駕駛輔助
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汽車電子中的電磁干擾生成、傳播與抑制（上）
基于安全性的考慮，汽車行業(yè)對(duì)電磁干擾 (EMI)有嚴(yán)格的要求，這給工程師帶來了很大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)（見圖 1）。降低 EMI需要對(duì)各種 EMI 問題進(jìn)行建模與分析。本文提供的建模和抑制方法用來降低非隔離式變換器（例如降壓、升壓和升降壓換器）中的 EMI。
2022-02-22
汽車電子 電磁干擾 傳播與抑制
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構(gòu)建快速、靈活的電動(dòng)汽車充電網(wǎng)絡(luò)
在我們未來的電動(dòng)汽車行業(yè)中，半導(dǎo)體技術(shù)將為電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商提供更大的靈活性，從而更好地管理能源基礎(chǔ)設(shè)施。隨著世界各國(guó)政府致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，汽車行業(yè)計(jì)劃到 2025 年投資逾 3300 億美元來推進(jìn)汽車電氣化，向電動(dòng)汽車發(fā)展的趨勢(shì)已定。
2022-02-21
電動(dòng)汽車 充電網(wǎng)絡(luò)
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如何解決電動(dòng)汽車48V電源總線電池故障？
電動(dòng)汽車（e-mobility）的增長(zhǎng)越來越快，這要?dú)w功于汽車，公共汽車，貨運(yùn)卡車和帶有電動(dòng)汽車的踏板車的雪崩。這也導(dǎo)致了采用創(chuàng)新解決方案的電動(dòng)汽車電池和動(dòng)力總成制造技術(shù)的飛速發(fā)展。這些都提高了效率并降低了運(yùn)營(yíng)成本。逐步過渡到車輛的48V電源總線和引入高壓電池需要采用適當(dāng)?shù)臒峁芾砑夹g(shù)。
2022-02-21
電動(dòng)汽車 48V電源 總線電池故障
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MPS智能駕駛解決方案
現(xiàn)代汽車工業(yè)的四大趨勢(shì)分別為電氣化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化和共享化。其中的智能化趨勢(shì)將需要先進(jìn)的車載傳感器、控制器和執(zhí)行器。
2022-02-21
MPS 智能駕駛 解決方案
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS模擬開關(guān)
理想的模擬開關(guān)不存在導(dǎo)通電阻，具有無窮大的關(guān)斷阻抗和零延時(shí)，可以處理大信號(hào)和共模電壓。實(shí)際使用MOS晶體管構(gòu)建的模擬開關(guān)并不符合這些要求，但是如果我們了解模擬開關(guān)的局限性，多數(shù)也是可以克服的。導(dǎo)通電阻是其中一項(xiàng)局限因素，本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)將嘗試表征此開關(guān)規(guī)格。
2022-02-17
ADALM2000 CMOS 模擬開關(guān)
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