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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP :Vishay新型功率MOSFET
日前,Vishay推出一款新型 25V n 通道器件,從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列,對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言,該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護(hù)二極管都有相同的保護(hù)效果?
本文針對(duì)目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn),分析了ESD方面所需考慮的因素,提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案,接著并比較幾種保護(hù)器件得出安森美的保護(hù)器件更具競爭性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護(hù)二極管 箝位電壓
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過壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞,在某些特定的應(yīng)用中,基本的過壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求,通常有以下兩種需求。第一,電路的最大輸入電壓可能增大;第二,適當(dāng)修改電路,可以在發(fā)生過壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護(hù) 電路 MOSFET
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印制電路板上的電磁干擾及抑制
本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計(jì)中電源布線和信號(hào)布線的電磁干擾問題,并提出解決途徑:抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法;抑制信號(hào)布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號(hào)線之間的距離,減小信號(hào)線與地之間的距離;同時(shí),設(shè)計(jì)印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...
2008-10-23
印制電路板 電磁干擾 抑制
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靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過程中的危害及防護(hù)措施
如何規(guī)范化生產(chǎn),如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品?本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過程的靜電防護(hù)角度,討論該過程靜電帶來的危害及其防護(hù)方法。
2008-10-23
靜電 LED 防護(hù)措施 危害
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抑制耳機(jī)放大器RF噪音的兩種方法
本文主要討論抑制耳機(jī)放大器RF噪音的方法,提出了兩種方法:通過屏蔽并縮短輸入信號(hào)引線降低輸入放大器的RF能量;選擇具有RF抑制功能的放大器,使耦合到輸出端的噪聲最小。并以GSM手機(jī)為例具體闡釋了這兩種方法的實(shí)現(xiàn)。
2008-10-23
抑制RF噪音 音頻放大器 屏蔽
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電子信息產(chǎn)業(yè)出口受制 發(fā)展后勁面臨考驗(yàn)
隨著十月華爾街金融風(fēng)暴的加劇,我國電子信息產(chǎn)業(yè)的出口經(jīng)受嚴(yán)峻考驗(yàn)。工業(yè)和信息化部日前在第十屆高交會(huì)上發(fā)布的《2008年Q3季度中國電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行公報(bào)》顯示,電子信息產(chǎn)業(yè)今年前三季度經(jīng)濟(jì)運(yùn)行保持平穩(wěn)發(fā)展,但延續(xù)了過往幾個(gè)季度增速放緩的態(tài)勢,經(jīng)濟(jì)運(yùn)行增速始終低于全國工業(yè)平均水平,...
2008-10-22
電子信息產(chǎn)業(yè) 通訊 計(jì)算機(jī) 家用視聽業(yè)
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