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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對(duì)環(huán)境的負(fù)面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風(fēng)力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風(fēng)力渦輪機(jī)的尺寸已擴(kuò)大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進(jìn)風(fēng)能變流器的需求在不斷...
2024-10-27
IGBT5.XT技術(shù) PrimePACK 風(fēng)能變流器
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個(gè)因素有關(guān)系，也和輸入阻抗成反比。如何來測(cè)量單管運(yùn)放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過仿真進(jìn)行測(cè)量。
2024-10-27
三極管電路 輸入電壓 阻抗
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晶振怎么用，你真的知道嗎？
晶振應(yīng)該是陪伴我們最多而我們卻并非那么熟悉的元器件之一，其頻率對(duì)于電路的運(yùn)作很重要，今天我們?cè)敿?xì)介紹晶振的諧振頻率調(diào)整與常見應(yīng)用。
2024-10-27
晶振
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如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
許多中國基礎(chǔ)設(shè)施和運(yùn)營（I&O）領(lǐng)導(dǎo)者在實(shí)施基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化項(xiàng)目時(shí)，希望利用自動(dòng)化技術(shù)來簡化和加快IT基礎(chǔ)設(shè)施資源的配置、管理和擴(kuò)展。但是，中國企業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)往往各自為政，而技術(shù)專家又傾向于將自動(dòng)化僅僅視為現(xiàn)有技術(shù)的延伸，導(dǎo)致自動(dòng)化優(yōu)先任務(wù)之間的相互競(jìng)爭，各團(tuán)隊(duì)間的協(xié)作受到限制，削弱...
2024-10-27
自動(dòng)化技術(shù) 基礎(chǔ)設(shè)施 Gartner
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羅德與施瓦茨中標(biāo)中國移動(dòng)RedCap以及Cat1bis一致性測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目
對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品而言，Cat1bis（單天線Cat1）以其極端簡化的特性定義面向廣大低復(fù)雜度以及時(shí)延不敏感的應(yīng)用。而RedCap對(duì)標(biāo)準(zhǔn)5G技術(shù)進(jìn)行一定程度的裁剪從而面向較低復(fù)雜度和功耗要求的中高端物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
2024-10-27
羅德與施瓦茨 中標(biāo) 中國移動(dòng) 標(biāo)準(zhǔn) 5G 測(cè)試系統(tǒng)
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【“源”察秋毫系列】柔性可穿戴電子設(shè)備材料的導(dǎo)電測(cè)試
柔性可穿戴電子設(shè)備主要由柔性壓阻傳感器材料、柔性傳感器框架、電極連接、信號(hào)采集和處理電路組成。 其中最重要的部分就是對(duì)柔性壓阻傳感器材料的測(cè)試，對(duì)于用于制造壓阻式傳感器的材料 , 需要全面評(píng)估其電學(xué)、機(jī)械、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和環(huán)境穩(wěn)定性等多方面性能指標(biāo) , 以確保材料能夠滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。
2024-10-27
泰克科技 柔性 可穿戴 電子設(shè)備 導(dǎo)電測(cè)試
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