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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）提供動(dòng)力，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_連接開關(guān)時(shí)，需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論...
2025-02-16
SIC 電池 開關(guān)
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揭秘ADAS系統(tǒng)中核心傳感器技術(shù)深度解析
自上世紀(jì) 70 年代首次引入防抱死制動(dòng)系統(tǒng)（ABS）以來，ADAS 技術(shù)在乘用車中的應(yīng)用穩(wěn)步增加，安全性也相應(yīng)提高。據(jù)美國(guó)國(guó)家安全委員會(huì)（NSC）估計(jì)，僅在美國(guó)，ADAS就有可能避免約62%的交通死亡事故，每年可挽救超過20,000人的生命3。近年來，自動(dòng)緊急制動(dòng)（AEB）和前撞預(yù)警（FCW）等ADAS功能已變得越...
2025-02-15
ADAS系統(tǒng) 傳感器技術(shù)
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基本示波器操作
如果示波器具有前面板，則它將具有如圖1所示的儀器所示的垂直，水平和觸發(fā)設(shè)置的基本控件。
2025-02-14
示波器
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)
低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對(duì)于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。
2025-02-14
低壓電源 MOSFET
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意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發(fā)了一套先進(jìn)的汽車功能安全整體解決方案，以加快安全關(guān)鍵的汽車系統(tǒng)開發(fā)，提高軟件定義汽車的安全性和經(jīng)濟(jì)性。
2025-02-14
意法半導(dǎo)體 HighTec EDV-Systeme 汽車
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
SiC模塊 封裝技術(shù)
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健康監(jiān)測(cè)的下一個(gè)突破點(diǎn)？超精確溫度傳感技術(shù)！
這些趨勢(shì)正在模糊醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)級(jí)設(shè)備間的界限。如今，即使是個(gè)人用戶也可以借助智能手表、活動(dòng)追蹤手環(huán)、智能戒指，甚至是耳塞等設(shè)備，來監(jiān)測(cè)血壓、心率和睡眠質(zhì)量等反映自身健康和生活方式的關(guān)鍵指標(biāo)。 與此同時(shí)，醫(yī)療機(jī)構(gòu)也在醫(yī)院和門診場(chǎng)景采用數(shù)字化醫(yī)療模式，無需醫(yī)護(hù)人員介入，即可實(shí)現(xiàn)...
2025-02-14
健康監(jiān)測(cè) 溫度傳感技術(shù)
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