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汽車IC分類一張圖，國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規(guī)級產品，滿足汽車質量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）在2020年發(fā)布了《純電動乘用車車規(guī)級芯片一般要求》團體標準，將汽車半導體分為10個大類和60個小類，10個大類分別包括控制芯片、存儲芯片、計算芯片、信息安全芯片、驅動芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負載導致的啟動故障
內置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時，可能會出現(xiàn)無法啟動的問題。
2022-12-08
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提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構顯示出多項優(yōu)勢）
近年來隨著高性能計算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）總線接口被應用到越來越多的芯片產品中，然而HBM的layout實現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設計，其基于2.5D interposer的設計中，由于interposer各層厚度非常薄且信號線細，使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重，給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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復雜電源系統(tǒng)中的明星：數(shù)字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來，板級電源模塊產品呈現(xiàn)爆炸式發(fā)展態(tài)勢，其集成度高、體積緊湊的優(yōu)點，吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應用類型、越來越復雜的使用場景，也對電源模塊產品提出了更高的挑戰(zhàn)。如何達到性能最優(yōu)？如何提升用戶設計體驗？如何增強可靠性？各種尖銳的問題，促使IC電源廠商不斷追求著控制策略優(yōu)化、工藝優(yōu)化、設計結構優(yōu)化。MPS在電源模塊產品設計方面有著自己獨到的理解和技術沉淀，并藉此推動電源模塊產品的交付量迅猛增長。
2022-12-07
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適用于下一代大功率應用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設計和易擴展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結構布局。本文介紹了一種新的用于大功率應用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設計原理、開關特性和采用IGBT5/.XT技術可以延長模塊的使用壽命等關鍵點。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅動的隔離式 DC／DC 轉換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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貿澤電子帶你探索汽車設計發(fā)展新趨勢
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 致力于為采購人士和工程師提供各類資源和新產品，助其走在汽車解決方案的創(chuàng)新前沿。貿澤攜手知名制造商合作伙伴通過博客、文章、視頻等，帶你深入了解現(xiàn)代汽車設計挑戰(zhàn)和解決方案，洞察汽車行業(yè)的未來。
2022-12-02
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車輛電壓保護——將電壓水平保持在限度內
車輛中可能會短暫存在高電壓，而僅比規(guī)定電壓高出幾伏就足以損壞高度敏感的IC器件。因而針對靜電放電 (ESD)、拋負載(load dump)脈沖和瞬變提供充分保護是至關重要的。
2022-12-02
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5G毫米波有源陣列封裝天線技術研究
提出了一種5G 毫米波有源陣列封裝天線。該陣列由8×16 個微帶天線單元組成，通過耦合式差分饋電，天線實現(xiàn)了寬帶匹配和方向圖高度對稱特性。通過對天線與芯片進行合理布局，減小了芯片射頻端口到天線子陣的饋電線損，提高了有源陣列天線的整體效率。測試結果表明，該陣列天線在工作頻段為24．25～ 27．5 GHz 的等效全向輻射功率( Equivalent Isotropic Ｒadiated Power，EIＲP) 大于60 dBm，并且陣列波束掃描至±30°、±60°時的增益下降分別不超過0．6 dB、4．1 dB，具有良好的寬角度波束掃描特性。
2022-12-02
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
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談談熱門的氧化鎵
高效的超高壓功率轉換設備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導體。寬帶隙(WBG)半導體碳化硅(SiC)已經成熟成為電力電子的商業(yè)技術平臺，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導體器件有可能實現(xiàn)更高電壓的電子設備。候選UWBG半導體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動增加最多的可能是氧化鎵(Ga2O3)。這種興趣的部分原因是由于其4.85 eV的大帶隙和晶體生長方面的突破，導致了2012年第一個Ga2O3晶體管的演示。Ga2O3有希望成為電力電子平臺，但在未來十年將這種UWBG半導體投入商用存在挑戰(zhàn)。
2022-11-28
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