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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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實(shí)測(cè)案例：1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試
氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。
2023-07-18
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比較兩種并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方式對(duì)功率回路耦合特性分析
隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度，單個(gè)模塊已經(jīng)無(wú)法滿足其需求，功率器件的并聯(lián)應(yīng)用由于其經(jīng)濟(jì)性與可行性成為了解決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無(wú)法達(dá)到完全的對(duì)稱(chēng)，使得理想化的靜、動(dòng)態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。
2023-07-12
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證。
2023-07-10
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新能源汽車(chē)加速爆發(fā)，功率器件迎來(lái)增長(zhǎng)新契機(jī)
在當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)衰退和整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)下行周期背景下，汽車(chē)半導(dǎo)體似乎成為了一個(gè)逆勢(shì)的窗口產(chǎn)業(yè)。與此同時(shí)，隨著汽車(chē)電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化等新四化發(fā)展趨勢(shì)，以及新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)兩旺的持續(xù)景氣市場(chǎng)，汽車(chē)電子迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革機(jī)遇。
2023-07-05
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割
近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)的火熱，讓半導(dǎo)體供應(yīng)上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應(yīng)更加緊俏。最近幾年用戶對(duì)SiC的使用更有經(jīng)驗(yàn)，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴(yán)重的材料。
2023-06-27
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車(chē)、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰(zhàn)。
2023-06-19
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確保可靠的柵極氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測(cè)試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運(yùn)行溫度約為 25°C。據(jù)估計(jì)，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對(duì)其 SiC 產(chǎn)品進(jìn)行了 100% 的雪崩測(cè)試，其示例如圖 3 所示。
2023-05-31
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解析智能功率開(kāi)關(guān)
功率器件可以在各種非正常工況下保護(hù)自己并報(bào)錯(cuò)會(huì)大大提高功率器件自身的可靠性和整個(gè)系統(tǒng)的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經(jīng)典產(chǎn)品PROFET系列為例，它集成了診斷和保護(hù)功能(Protect)的功率器件(MOSFET)，它可以對(duì)異常工況作出反應(yīng)，并及時(shí)向控制單元匯報(bào)。尤其是在汽車(chē)級(jí)的應(yīng)用中，汽車(chē)復(fù)雜的電氣架構(gòu)大大提高了電子的故障檢測(cè)的難度，我們需要知道電路和器件的工作狀態(tài)，才能快速對(duì)故障進(jìn)行定位。
2023-05-17
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瑞能半導(dǎo)體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國(guó)紐倫堡】當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月9日，全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商瑞能半導(dǎo)體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國(guó)紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護(hù)器件以及功率模塊，豐富的產(chǎn)品矩陣彰顯了瑞能半導(dǎo)體領(lǐng)先的產(chǎn)品實(shí)力和對(duì)未來(lái)電力電子行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的思考，受到了與會(huì)者的高度關(guān)注。CEO Markus Mosen先生率領(lǐng)公司研發(fā)工程師、市場(chǎng)部、銷(xiāo)售部組成的參展團(tuán)隊(duì)出席了活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)。
2023-05-10
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車(chē)（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程。
2023-05-03
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總結(jié)肖特基勢(shì)壘二極管對(duì)寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優(yōu)于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業(yè)界采用寬帶隙材料來(lái)滿足功率器件應(yīng)用中的低功耗需求。這種需求導(dǎo)致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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