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通過Windows 8融合需求認(rèn)證的12軸傳感器
Freescale的12軸向Xtrinsic傳感器平臺(tái)通過Windows 8的傳感器融合需求認(rèn)證，其高度整合的12軸向解決方案，可減輕主要處理器的負(fù)荷，同時(shí)延長裝置的電池壽命，讓智能型便攜設(shè)備的研發(fā)更形順暢。
2012-12-31
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A/D采樣測(cè)量電路中常用的多路電壓采集電路
本文就A/D采樣測(cè)量電路中常用的多路電壓采集電路提出了一種設(shè)計(jì)方法。針對(duì)電路使用中出現(xiàn)的問題，結(jié)合Electronics Workbench電路仿真軟件搭建模型仿真電路，提出了電路的改善方法。經(jīng)過驗(yàn)證，電路的一致性和線性較好，同時(shí)又具有電路簡(jiǎn)單、器件少等優(yōu)點(diǎn)。
2012-12-31
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電源轉(zhuǎn)換中反激轉(zhuǎn)換器和降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)案例
在采用交流離線電源為LED供電的應(yīng)用中，涉及到眾多不同的應(yīng)用場(chǎng)合，如電子鎮(zhèn)流器、熒光燈替代、交通信號(hào)燈、LED燈泡、街道和停車照明、建筑物照明、障礙燈和標(biāo)志等。在這些從交流主電源驅(qū)動(dòng)大功率LED的應(yīng)用中，有兩種常見的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，即在需要電流隔離(galvanic isolation)時(shí)使用反激轉(zhuǎn)換器，或在不需要隔離時(shí)使用較為簡(jiǎn)單的降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2012-12-31
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Molex為工業(yè)和網(wǎng)絡(luò)工程師提供可信來源的QTL電纜組件
Molex公司推出新款Quick-Turn 電纜組件，不僅具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，并且滿足小至中等批量客制化光纖客戶，而且可以滿足客戶快速交貨的定購需求。
2012-12-30
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僅有105μA電源管理器件，是便攜式應(yīng)用的理想選擇
ON 安森美推出兩款新電源管理 IC CP6924 / NCP6914，兩款器件都提供多個(gè)配電字符串，節(jié)省電路板占用空間，并允許在整個(gè)系統(tǒng)以較高功率密度配電，協(xié)助解決散熱挑戰(zhàn)，成為便攜式應(yīng)用的理想電源分配方案。
2012-12-29
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SWS推出了超低噪聲高性能的ASIC
SWS針對(duì)Tronics的MEMS陀螺GYPRO2300提供ASIC，結(jié)合取得了目前市場(chǎng)上最高級(jí)別的性能。該陀螺（GYRPO2300）零偏穩(wěn)定性（艾倫方差）為1degree/h，超低噪聲為10degree/h/Sqrt(Hz)，熱零偏穩(wěn)定性為+/- 0.05 degree/s。
2012-12-29
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停機(jī)模式下消耗電流小于3uA的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器
Richtek推出RT7297C 3A , 18V , 800KHz同步直流對(duì)直流降壓轉(zhuǎn)換器，提供UVP輸出過低電壓保護(hù)及OTP過熱保護(hù) , 在停機(jī)模式下所需消耗電流小于3uA , 非常適用于待機(jī)模式及電池供電電源管理系統(tǒng)。
2012-12-29
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經(jīng)濟(jì)方便的提升消費(fèi)電子音質(zhì)的D類音頻開發(fā)
Silicon Labs 為32位嵌入式設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化數(shù)字D類音頻開發(fā)，外部組件僅需要便宜的電感、電容和鐵氧體磁珠，并且無需專門的功率場(chǎng)效晶體管?？梢越?jīng)濟(jì)方便的提升消費(fèi)電子的音質(zhì)。
2012-12-29
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LTE智能手機(jī)差異化設(shè)計(jì)點(diǎn)：基帶平臺(tái)
下一代智能手機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)將集中于LTE（4G），而LTE也成為手機(jī)芯片大廠逐鹿的新戰(zhàn)場(chǎng)。在高通、ST-Ericsson之后，博通也宣布跨入LTE芯片市場(chǎng)，加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產(chǎn)品亮相，LTE手機(jī)平臺(tái)大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進(jìn)行LTE基帶平臺(tái)的盤點(diǎn)和展望。
2012-12-29
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蘋果獲Micro SIM連接器專利 延續(xù)標(biāo)準(zhǔn)大戰(zhàn)
據(jù)Patentlyapple網(wǎng)站報(bào)道，蘋果Micro SIM(微型SIM卡)專利昨日獲得正式批準(zhǔn)。此項(xiàng)專利能幫助用戶更方便地拔插SIM卡，在用戶插入不當(dāng)時(shí)也可以保證設(shè)備不會(huì)受損，同時(shí)提供了可靠的機(jī)械性能。
2012-12-28
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中科院研制出可提升中國國產(chǎn)IC的競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個(gè)數(shù)量級(jí)以及金屬閘主動(dòng)功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
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在LVDS 接口中加入TVS保護(hù)，防止靜電干擾
LVDS 數(shù)據(jù)線連接廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸，例如，在商用打印機(jī)或者LCD 面板 與轉(zhuǎn)接板的連接。這些應(yīng)用需要TVS保護(hù)是由于使用了敏感的IC 器件，因此在信號(hào)線增加的TVS要方便走線。
2012-12-28
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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