-
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2021-10-17
-
讓我們看看升壓型穩(wěn)壓器是如何造就兼具升壓和降壓能力的扁平狀SEPIC的？
汽車、分布式電源和電池供電型應(yīng)用的工作電壓常常取自一個(gè)寬的可變總線電壓。工作電壓經(jīng)常位于總線電壓范圍中間的某個(gè)數(shù)值上，例如汽車工作電壓為12V，總線電壓為4V至18V。這些應(yīng)用需要采用一個(gè)能夠根據(jù)總線電壓進(jìn)行升壓或降壓操作的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2021-10-13
-
如何實(shí)現(xiàn)伽馬光子輻射檢測(cè)器的設(shè)計(jì)
這篇文章主要討論了實(shí)現(xiàn)伽馬光子輻射檢測(cè)器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，原理圖和組件選擇。該設(shè)計(jì)由一個(gè)PIN光電二極管，四個(gè)低噪聲運(yùn)算放大器和一個(gè)比較器組成，該比較器能夠檢測(cè)伽馬輻射的各個(gè)光子。
2021-09-12
-
仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
-
Digi-Key開售Red Pitaya的@HOME套件，將實(shí)驗(yàn)室練習(xí)帶到遠(yuǎn)程或居家環(huán)境中
Digi-Key Electronics 擁有全球品類極為豐富并且能夠立即發(fā)貨的現(xiàn)貨庫(kù)存電子元件，日前宣布已與 Red Pitaya 公司建立全球分銷合作伙伴關(guān)系，將分銷其 @HOME 套件。該套件提供了多功能性和便攜性，可以將實(shí)驗(yàn)室練習(xí)帶到遠(yuǎn)程或居家環(huán)境中，是遠(yuǎn)距離或者居家工作的教授和學(xué)生們的理想選擇。
2021-09-02
-
英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發(fā)布了重大技術(shù)架構(gòu)的改變和創(chuàng)新
在 2021 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾公司高級(jí)副總裁兼加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構(gòu)師，全面介紹了兩種全新 x86 內(nèi)核架構(gòu)的詳情；英特爾首個(gè)性能混合架構(gòu)，代號(hào)“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調(diào)度器；專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的下一代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理器 Sapphire Rapids；基礎(chǔ)設(shè)施處理器（IPU）；即將推出的顯卡架構(gòu)，包括 Xe HPG 微架構(gòu)和 Xe HPC 微架構(gòu)，以及 Alchemist SoC, Ponte Vecchio SoC。
2021-08-22
-
固定增益雙端口G類差分放大器設(shè)計(jì)
ISL1561是固定增益雙端口G類差分放大器設(shè)計(jì)，與AB類放大器相比，可在降低功耗的情況下驅(qū)動(dòng)ADSL2 +和VDSL2。線路驅(qū)動(dòng)器采用+ 12V至+ 14V單電源供電，并且在檢測(cè)到升壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的電源電壓。靜態(tài)電流可以通過3引腳串行端口接口（SPI）用12位命令進(jìn)行編程。
2021-08-17
-
齊納、PIN、肖特基和變?nèi)荻O管的基礎(chǔ)知識(shí)及其應(yīng)用
雖然傳統(tǒng)的硅二極管或鍺二極管在大多數(shù)電子應(yīng)用中可以很好地作為整流器和開關(guān)元件使用，但它們不具備電子微調(diào)、電子衰減、低損耗整流、基準(zhǔn)電壓生成等功能。最初，我們使用更原始、成本更高且體積更大的“蠻力”方法來完成這些任務(wù)。這些方法現(xiàn)在已經(jīng)讓位于更精巧的特殊用途二極管，包括變?nèi)荻O管、PIN 二極管、肖特基二極管和齊納二極管。
2021-08-16
-
智能車單片機(jī)的分段PID控制
自動(dòng)尋跡智能車涉及到當(dāng)前高技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的許多先進(jìn)技術(shù)，其中 主要的是傳感技術(shù)、路徑規(guī)劃和運(yùn)動(dòng)控制。本課題是以飛思卡爾智能車競(jìng)賽為背景，以單片機(jī)作為 控制單元，以攝像頭作為路徑識(shí)別傳感器，以直流電機(jī)作為小車的驅(qū)動(dòng)裝置，以舵機(jī)控制小車轉(zhuǎn)向。
2021-08-09
-
兼容SPICE的運(yùn)算放大器宏模型
目前，電路仿真領(lǐng)域呈現(xiàn)采用全方位電路仿真方法的趨勢(shì)。我們認(rèn)為，在所有安裝的電路仿真器中，有75%用于系統(tǒng)設(shè)計(jì)，而不是IC設(shè)計(jì)。幾乎所有這些仿真器都是SPICE的變體。隨著電子行業(yè)不斷發(fā)展，系統(tǒng)工程師面對(duì)日益增多的集成電路，尤其是無處不在的運(yùn)算放大器，也需要愈加精準(zhǔn)的模型。但是，這些IC器件的速度和復(fù)雜性不斷提高，給初期的SPICE開發(fā)人員帶來了始料未及的問題。
2021-08-02
-
如何選擇升壓調(diào)節(jié)器/控制器IC并使用LTspice選擇外圍組件
為升壓調(diào)節(jié)器選擇IC的過程與降壓調(diào)節(jié)器不同，主要區(qū)別在于所需輸出電流與調(diào)節(jié)器IC數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格之間的關(guān)系。在降壓拓?fù)渲校骄姼须娏骰旧吓c負(fù)載電流相同。而升壓拓?fù)涞那樾蝿t不一樣，它需要基于開關(guān)電流進(jìn)行計(jì)算。本文介紹了升壓調(diào)節(jié)器IC（帶內(nèi)部MOSFET）或控制器IC（帶外部MOSFET）的選擇標(biāo)準(zhǔn)，以及如何使用LTspice?選擇合適的外圍組件以構(gòu)建完整的升壓功率級(jí)。
2021-08-01
-
PIN二極管參數(shù)和結(jié)構(gòu)原理
一般的二極管是由N型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料和P型雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料直接構(gòu)成形成PN結(jié)。而PIN二極管是在P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料之間加一薄層低摻雜的本征（Intrinsic）半導(dǎo)體層。
2021-06-14
- 聚合物電容全景解析：從納米結(jié)構(gòu)到千億市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)突圍戰(zhàn)
- 超300cd亮度+毫米級(jí)光域！艾邁斯歐司朗SYNIOS P2720重構(gòu)車燈微光學(xué)架構(gòu)
- 從存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)到AI自治：以太網(wǎng)交換機(jī)的四階技術(shù)躍遷
- 驅(qū)動(dòng)器技術(shù)全景圖：從原理到國(guó)產(chǎn)替代的破局之路
- 奇瑞羅姆技術(shù)共創(chuàng)日，共繪汽車電子未來藍(lán)圖
- 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器核心技術(shù)全景：安全、能效與國(guó)產(chǎn)破局路徑
- 三新驅(qū)動(dòng)西部崛起：第十三屆西部電子信息博覽會(huì)成都盛大啟幕
- EMVCo C8預(yù)認(rèn)證！意法半導(dǎo)體STPay-Topaz-2重塑支付芯片安全邊界
- 村田開始量產(chǎn)村田首款0402英寸47μF多層陶瓷電容器
- 安規(guī)電容技術(shù)全景圖：從安全設(shè)計(jì)到國(guó)產(chǎn)替代突圍
- 滌綸電容技術(shù)全解析：從聚酯薄膜特性到高保真應(yīng)用設(shè)計(jì)指南
- 灣芯展2025預(yù)登記啟動(dòng)！10月深圳共襄半導(dǎo)體盛宴
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
