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開關電源各處損耗探究
能量轉換系統(tǒng)必定存在能耗，雖然實際應用中無法獲得100%的轉換效率，但是，一個高質量的電源效率可以達到非常高的水平，效率接近95%。絕大多數電源IC 的工作效率可以在特定的工作條件下測得，數據資料中給出了這些參數。一般廠商會給出實際測量的結果，但我們只能對我們自己的數據擔保。
2018-10-12
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在2018上海創(chuàng)客嘉年華上Digi-Key將展示令人激動的技術和產品
上海，中國 —— 2018 年 10 月 12 至 14 日上海創(chuàng)客嘉年華期間，全球電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 誠邀各位訪客蒞臨 A1-A2 和 A5-A6 展位參觀各種產品演示，同時參與微信幸運抽獎，參觀娛樂兩不誤。上海創(chuàng)客嘉年華將會在上海市淞滬路234號創(chuàng)智天地廣場舉辦。
2018-10-11
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如何輕松解決ESD靜電問題？
靜電是人們非常熟悉的一種自然現象。靜電的許多功能已經應用到軍工或民用產品中，如靜電除塵、靜電噴涂、靜電分離、靜電復印等。然而，靜電放電ESD（Electro-Static Discharge）卻又成為電子產品和設備的一種危害，造成電子產品和設備的功能紊亂甚至部件損壞。
2018-10-10
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SLA3304DT6 為LVDS信號提供靜電保護 高溫長線不丟包
LVDS（Low Voltage Differential Signaling)即低壓差分信號傳輸，是一種滿足當今高性能數據傳輸應用的新型技術，LVDS 數據線連接廣泛應用于高速數據信號傳輸，例如液晶顯示屏普遍采用LVDS接口，LVDS也在計算機、通信設備、消費電子等產品中得到廣泛應用，這些應用需要ESD靜電保護元件來保護敏感的IC 器件，確保數據在高速傳輸中保持信號完整，SLA3304DT6經過實驗驗證，高溫長線傳輸不丟包。
2018-10-09
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杭州IC重磅！ 2018“青山湖杯”微納智造創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽報名開始
眾所周知，大到關乎國防安全的軍事裝備、雷達衛(wèi)星，中到作為基礎設施的互聯網、數據中心，小到生活中常用的汽車、手機，都離不開以集成電路(IC)為核心的微納器件，而工業(yè)企業(yè)向高附加值邁進，也離不開智能制造系統(tǒng)的助推和智能終端市場的拉動。
2018-10-08
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如何導通MOSFET？你想知道的都有
在面向功率電子專業(yè)人士的網站上，如何導通 MOSFET 的話題可能不值一提，就好像在烹飪展上問如何把水燒開一樣。畢竟這不應當是個大問題。與雙極型器件不同，場效應晶體管是多數載流子器件（majority carrier device）。我們無需擔心電流增益，定制基礎電流以匹配 hfe 和可變集電極電流的極值，或者提供負壓驅動。
2018-09-29
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貼片電容、電阻、電感基礎知識詳解
初學者往往面臨這樣令人困惑又能非常撓頭的問題：如何由IC元件上的標注代碼（也稱印字），判斷是什么器件？如何查找相關IC的電路資料？無標識（印字）元件怎樣判斷是什么器件，如何測量其好壞？可否用其它型號的元件（甚至非貼片元件）對貼片元件進行代換？貼片元件的封裝形式有哪些啊？等等。
2018-09-29
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創(chuàng)新型數字總線架構降低音頻系統(tǒng)成本
Maxim 宣布其單芯片ASIL D級電池監(jiān)測IC被最新的下一代零排放電動汽車Nissan LEAF采用。該IC滿足最高的安全標準并提供全面的診斷，從而實現可靠通信并大幅降低隔離材料清單(BOM)的成本。
2018-09-20
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盤點：開關電源拓撲的優(yōu)缺點對比
常見的基本拓撲結構包括：Buck降壓，Boost升壓，Buck-Boost降壓-升壓，Flyback反激，Forward正激，Two-Transistor Forward雙晶體管正激，Push-Pull推挽，Half Bridge半橋，Full Bridge全橋，SEPIC，C’uk。
2018-09-20
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ROHM：高性能IC、大功率器件和傳感器模組正成為汽車不可或缺的關鍵零部件
在車用電氣/電源/電子系統(tǒng)、互聯性及自動駕駛方面，ROHM半導體(上海)有限公司設計中心副所長 水原德健的觀點及解決方案如下。
2018-09-19
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Vishay誠邀您蒞臨2018中國國際工業(yè)博覽會機器人展，一起“觸摸明日科技”
賓夕法尼亞、MALVERN — 2018 年 9 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司將在9月19 - 23日在上海國家會展中心舉辦的2018年度中國國際工業(yè)博覽會（CIIF）機器人展上亮相的產品陣容。Vishay展臺位于8.1H展廳F214號，主題為“觸摸明日科技”，將展示其為滿足工業(yè)和協作機器人領域的節(jié)省空間、能效和可靠性需求而設計的電容器、電阻器、功率IC、光電子和二極管技術。
2018-09-18
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解析三菱電機6.5kV全SiC功率模塊
本文介紹了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊的內部結構和電氣特性，相對于傳統(tǒng)的Si IGBT模塊、傳統(tǒng)全SiC MOSFET功率模塊，新型全SiC MOSFET功率模塊在靜態(tài)特性、動態(tài)特性和損耗方面優(yōu)勢明顯。
2018-09-14
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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