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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對(duì)目前雜散電感提取方法存在的問(wèn)題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)特性測(cè)試平臺(tái)對(duì)本文所提雜散電感提取方法的可行性進(jìn)行了驗(yàn)證。與現(xiàn)有的間接測(cè)量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開(kāi)關(guān)瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
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高溫超導(dǎo)技術(shù)在微磁傳感器中應(yīng)用
超高精度磁傳感器在生物磁測(cè)量、地磁導(dǎo)航、天文觀(guān)測(cè)、基礎(chǔ)物理特性分析等科研領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景和迫切需求。比如，在生物磁信號(hào)探測(cè)領(lǐng)域，典型的心臟磁場(chǎng)為 10-9—10-10T，腦磁場(chǎng)為10-11—10-12 T，目前能夠滿(mǎn)足檢測(cè)pT(10-12 T)量級(jí)測(cè)量精度的磁傳感器有光泵磁傳感器、探測(cè)線(xiàn)圈磁傳感器、磁通門(mén)傳感器、超導(dǎo)量子干涉器件(superconducting quantum interference device，SQUID)傳感器等。
2018-11-28
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你知道SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)負(fù)壓應(yīng)該如何選擇嗎？
SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會(huì)表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長(zhǎng)期的門(mén)極電應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。以下將講解如何通過(guò)調(diào)整門(mén)極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來(lái)限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2018-11-27
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Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理:電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)中的隔離應(yīng)用
Silicon Labs副總裁兼電源產(chǎn)品總經(jīng)理Ross Sabolcik近日分享關(guān)于電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)中的隔離應(yīng)用理解。在這些應(yīng)用中，電流隔離（通常是基于半導(dǎo)體的隔離）是必須的，以允許數(shù)字控制器安全地和現(xiàn)代EV高壓系統(tǒng)進(jìn)行連接。
2018-11-26
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浩亭成功實(shí)現(xiàn)工業(yè)4.0應(yīng)用
浩亭技術(shù)集團(tuán)自2016年起與MICA. Network用戶(hù)組織內(nèi)部的系統(tǒng)集成商和IT專(zhuān)家合作讓客戶(hù)實(shí)現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的設(shè)備效率改善。
2018-11-23
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浩亭最新MICA實(shí)現(xiàn)RFID與WLAN和移動(dòng)通信的整合
浩亭技術(shù)集團(tuán)將與合作伙伴公司PCO和nemetris在CeMAT物流4.0樞紐上聯(lián)合展示如何利用邊緣計(jì)算和最新RFID技術(shù)的結(jié)合供應(yīng)鏈?zhǔn)占头治霾僮?、狀態(tài)和系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
2018-11-23
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赫聯(lián)電子新增德國(guó)Harting供應(yīng)商
赫聯(lián)電子新增德國(guó)Harting供應(yīng)商，專(zhuān)業(yè)的互連與機(jī)電產(chǎn)品授權(quán)分銷(xiāo)商赫聯(lián)電子（Heilind Electronics）日前宣布進(jìn)一步擴(kuò)充其產(chǎn)品線(xiàn)，新增德國(guó)Harting為供應(yīng)商。Harting是工業(yè)連接技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，連接技術(shù)覆蓋電力、信號(hào)和數(shù)據(jù)。
2018-11-21
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德國(guó)TOPTICA太赫茲系統(tǒng)介紹
太赫茲（Tera Hertz，簡(jiǎn)稱(chēng)THz）波通常是指頻率在0．1～10 THz（波長(zhǎng)在0．03～3mm）波段的電磁波，我們感受不到它的存在，但它卻實(shí)實(shí)在在地圍繞在我們周?chē)?/p>
2018-11-21
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簡(jiǎn)要介紹四種晶體振蕩器及工作原理
晶體振蕩器，是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱(chēng)為晶片），石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱(chēng)為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱(chēng)為晶體振蕩器。
2018-11-20
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MRSI宣布在中國(guó)深圳建立HVM3芯片貼裝演示能力
MRSI Systems（Mycronic集團(tuán)）宣布在其位于深圳龍華的姐妹公司，深圳市軸心自控技術(shù)有限公司工廠(chǎng)建立一項(xiàng)新的演示能力。
2018-11-16
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為什么擺脫不了旁路電容諧振？
在實(shí)際應(yīng)用中，每個(gè)電容器都會(huì)因其實(shí)體結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生額外的復(fù)雜性。由介電層(dielectriclayer)隔開(kāi)的兩個(gè)極板(plate)與導(dǎo)線(xiàn)或金屬箔(metalfoil)串聯(lián)，即可實(shí)現(xiàn)實(shí)際的連接；這兩種金屬導(dǎo)體會(huì)導(dǎo)入等效串聯(lián)電感(ESL)以及等效串聯(lián)電阻(ESR)。
2018-11-15
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使用超低噪聲LDO對(duì)電源的影響
線(xiàn)性穩(wěn)壓器集成電路(IC)將電壓從較高電平降至較低電平，且無(wú)需電感。低壓差(LDO)線(xiàn)性穩(wěn)壓器是一種特殊類(lèi)型的線(xiàn)性穩(wěn)壓器，其壓差（需要保持穩(wěn)壓的輸入和輸出電壓之間的差值）通常低于400 mV。
2018-11-14
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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