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貿(mào)澤電子推出在線汽車資源中心助力工程師實現(xiàn)創(chuàng)新設計
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容豐富的汽車資源中心，為工程師提供設計創(chuàng)新應用所需的工具。汽車行業(yè)正在經(jīng)歷一場由技術(shù)進步推動的快速轉(zhuǎn)型，SAE 3級ADAS是其中的一項重要技術(shù)。實現(xiàn)這一級別的車輛在未請求駕駛?cè)私庸艿那闆r下，可通過升級的激光雷達 (LiDAR)、雷達和攝像頭等傳感器實現(xiàn)完全自主駕駛。這種自主性不僅將重塑我們對交通的認知，更有望提升安全功能、減少交通擁堵，以及增強殘障人士出行的便利性。
2025-02-11
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意法半導體監(jiān)事會擬在2025 年度股東大會提名新監(jiān)事人選
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，監(jiān)事會已同意在公司 2025 年度股東大會上提議股東批準Werner Lieberherr接任2025 年度股東大會結(jié)束時任期屆滿的Janet Davidson，擔任意法半導體監(jiān)事一職。
2025-02-08
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貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應商持續(xù)為客戶擴大產(chǎn)品代理陣容
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過60家供應商，產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴大，為廣大電子設計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進產(chǎn)品，讓設計人員輕松獲得各項新技術(shù)，協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。
2025-02-08
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意法半導體公布2024年第四季度及全年財報
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國通用會計準則 (U.S. GAAP) 編制的截至2024年12月31日的第四季度財報。此外，本新聞稿還包含非美國通用會計準則的財務數(shù)據(jù) (詳情參閱附錄)。
2025-02-07
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MD&M West展會：Micro Crystal攜創(chuàng)新定時元件，共繪醫(yī)療科技新藍圖
在醫(yī)療科技日新月異的今天，每一次創(chuàng)新都可能引領行業(yè)的未來。2025 年 2 月 4 日至 6 日，美國加州阿納海姆將迎來第 40 屆 MD&M West 醫(yī)療展會，這場匯聚全球醫(yī)療技術(shù)精英的盛會，正是 Micro Crystal 瑞士微晶展示其技術(shù)實力與行業(yè)承諾的舞臺。
2025-02-06
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解鎖AI設計潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設計
在當今科技飛速發(fā)展的時代，半導體行業(yè)作為眾多前沿技術(shù)的基石，正面臨著前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。隨著電子系統(tǒng)越來越復雜，芯片電路設計也變得更為復雜，這導致了更長的設計周期、更高的開發(fā)成本以及更大的錯誤風險。
2025-02-01
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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第四季度推出超過10,000個新物料
致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務是提供來自1,200多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設計出先進產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2025-01-29
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關(guān)特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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MOS管在開關(guān)電源中的核心作用及其關(guān)鍵性能參數(shù)對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現(xiàn)代電子技術(shù)中不可或缺的元器件之一，在開關(guān)電源設計中扮演著至關(guān)重要的角色。開關(guān)電源作為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管在開關(guān)電源中的具體作用，并剖析其關(guān)鍵性能參數(shù)對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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意法半導體榮膺 2025 年全球杰出雇主認證
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
- OLED顯示器季度榜：華碩登頂，微星躍升，三星承壓
- 2nm量產(chǎn)+先進封裝，臺積電構(gòu)筑AI算力時代的“絕對護城河”
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