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新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 CDM測試標(biāo)準(zhǔn)概覽
元件充電模式(CDM) ESD被認(rèn)為是代表ESD充電和快速放電的首要實際ESD模型,能夠恰如其分地表示當(dāng)今集成電路(IC)制造和裝配中使用的自動處理設(shè)備所發(fā)生的情況。到目前為止,在制造環(huán)境下的器件處理過程中,IC的ESD損害的最大原因是來自充電器件事件,這一點已廣為人知。1
2021-02-09
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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測器、監(jiān)控器和復(fù)位IC:第1部分
電信、工業(yè)和航空電子應(yīng)用中的電源電壓可能由于許多原因而變化,例如線路和負載瞬變;停電;或低電量。電壓檢測器和監(jiān)控器/復(fù)位集成電路(IC)提供了與這些問題相關(guān)的電源電壓偏差的預(yù)指示,以幫助保護系統(tǒng)。
2021-02-09
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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測器、監(jiān)控器和復(fù)位IC:第2部分
在本系列的第一部分中,我定義了電壓檢測器和監(jiān)控器/復(fù)位IC,并解釋了不同的輸出類型及一些基本設(shè)備。由于設(shè)計變得更加復(fù)雜,可能需要更高級的設(shè)備來成功監(jiān)視電壓。在本期中,我將重點介紹電壓檢測器和監(jiān)控器/復(fù)位IC中的各種功能,以幫助設(shè)計人員選擇正確的電路。
2021-02-09
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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉(zhuǎn)換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉(zhuǎn)換要求,這在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類的應(yīng)用中很常見。這些應(yīng)用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉(zhuǎn)換IC。電流通常在數(shù)百毫安范圍,但如果板載功率放大器為了傳輸數(shù)據(jù)或視頻而存在峰值功率需求,那么電流量可能更高。因此,隨著支持眾多物聯(lián)網(wǎng)器件的無線傳感器的激增,業(yè)界對專門用于空間和散熱受限器件的小型、緊湊、高效功率轉(zhuǎn)換器的需求在不斷增加。
2021-02-08
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如何準(zhǔn)確地測量芯片的電源噪聲
隨著5G、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展,信號的傳輸速度越來越快,集成電路芯片的供電電壓隨之越來越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V,而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經(jīng)到了2.5V、1.8V或1.5V,有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小,電壓波動的容忍度也變得越苛刻。對于這類供電電壓較小的高速芯片的電壓測試用電源噪聲表示,測求要求從±5%到 ±-1.5%,乃至更低。
2021-02-05
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集成電路是如何被發(fā)明的?
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路(IC:Integrated Circuit),幾乎在同時,兩組人在個不知曉對方發(fā)明工作的情況下,獨立設(shè)計出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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開關(guān)IC控制器的去耦旁路設(shè)計
旁路和去耦是指防止有用能量從一個電路傳到另一個電路中,并改變噪聲能量的傳輸路徑,從而提高電源分配網(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)。它有三個基本概念:電源、地平面,元件和內(nèi)層的電源連接。
2021-02-05
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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無線基站曾經(jīng)封裝在采用氣候控制技術(shù)的大型空間中,但現(xiàn)在卻可以裝在任意地方。隨著無線網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商試圖實現(xiàn)全域信號覆蓋,基站組件提供商面臨壓力,需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
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采用具有驅(qū)動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中,我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性,然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后,展示對使用了圖騰柱(Totem-Pole)拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。
2021-02-03
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交錯式反相電荷泵——第二部分:實現(xiàn)和結(jié)果
本系列文章的第一部分介紹了一種從正電源產(chǎn)生低噪聲負電源軌的獨特方法,并說明了控制其運行的方程式推導(dǎo)過程。第二部分將借助ADI公司新產(chǎn)品 ADP5600深入探討這種交錯式反相電荷泵(IICP)的實際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進行比較,以揭示交錯如何改善低噪聲性能。我們還將其應(yīng)用于低噪聲相控陣波束成型電路,并使用第一部分中的公式來優(yōu)化該解決方案的性能。
2021-02-02
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如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗?
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統(tǒng)簡單性的電源設(shè)計人員具有很高的吸引力。
2021-02-02
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貿(mào)澤電子新品推薦:2021年1月
2021年2月1日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),首要任務(wù)是提供來自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù),幫助客戶設(shè)計出先進產(chǎn)品,并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品,并提供全方位的制造商可追溯性。
2021-02-01
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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