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選擇低EMI電源需要了解的幾大要素
設(shè)計(jì)工程師們正在面臨著設(shè)計(jì)EMI兼容產(chǎn)品的挑戰(zhàn)，而對(duì)開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器中的EMI干擾源和場(chǎng)強(qiáng)因子有所了解將幫助工程師們選擇最佳的組件，本文將從EMI輻射源及EMI的抑制進(jìn)行講解以幫助設(shè)計(jì)者降低設(shè)備中的電磁輻射。
2013-05-30
EMI 電源 設(shè)計(jì) 模塊 Linear
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如何解決MOS管發(fā)熱問(wèn)題
做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，會(huì)經(jīng)常用到MOS管，然而MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題，經(jīng)常困擾著廣大設(shè)計(jì)者與工程師。針對(duì)這一問(wèn)題，本文探討MOS管發(fā)熱問(wèn)題的原因及解決方法。
2013-05-28
MOS管 發(fā)熱問(wèn)題
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基于Teseo II芯片的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)設(shè)計(jì)
意法半導(dǎo)體（ST）的Teseo II導(dǎo)航芯片是針對(duì)多衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的單芯片IC系列(STA8088)，該芯片的一系列參考設(shè)計(jì)中使用了EPCOS（愛(ài)普科斯）與TDK元件，十分適用于汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2013-05-28
汽車 導(dǎo)航 Teseo II 芯片
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Fairchild新型車用功率模塊 高集成度降低系統(tǒng)成本
近日，F(xiàn)airchild開(kāi)發(fā)出車用三相變速逆變器功率模塊FTC03V455A1，該功率模塊允許更高的扭矩系統(tǒng)，節(jié)省燃料及降低 CO2排放量，可幫助設(shè)計(jì)人員縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，提高可靠性，簡(jiǎn)化高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
2013-05-24
Fairchild 汽車 功率 模塊 FTC03V455A1
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半月談：探究光伏發(fā)電 深入解析逆變技術(shù)
盡管近年來(lái)光伏行業(yè)形勢(shì)不容樂(lè)觀，但有預(yù)測(cè)顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營(yíng)收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。因此，光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對(duì)高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。
2013-05-22
逆變器 逆變技術(shù) 光伏發(fā)電 太陽(yáng)能 IGBT
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最新的混合動(dòng)力汽車鋰電池主動(dòng)平衡快速充電技術(shù)
混合動(dòng)力電動(dòng)型汽車電池中的電子組件是提高性能和安全性的關(guān)鍵.Linear最新的混合動(dòng)力汽車鋰電池主動(dòng)平衡快速充電技術(shù),使電池組設(shè)計(jì)師能進(jìn)一步提高鋰離子電池的性能,更高的測(cè)量準(zhǔn)確度,更堅(jiān)固的數(shù)據(jù)鏈路和電池容量的主動(dòng)電荷平衡都幫助實(shí)現(xiàn)了更低的成本,更長(zhǎng)的行駛周期和更快的充電.
2013-05-21
鋰電池 Linear IC
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設(shè)計(jì)新思路:高效中頻熔斷電源設(shè)計(jì)
廣大工程師都有這樣一個(gè)困擾，常規(guī)晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源存在的在熔煉期內(nèi)輸出功率達(dá)不到額定功率，針對(duì)這一問(wèn)題，本文設(shè)計(jì)了一種對(duì)DC/AC逆變器采用調(diào)節(jié)功率角φ的觸發(fā)控制電路，配合原有的AC/DC相控雙閉環(huán)控制電路，可以使中頻熔煉電源實(shí)現(xiàn)高效控制。
2013-05-17
中頻電源 晶閘管
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新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
高功率電平帶來(lái)更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-17
IGBT MOSFET 電源柵極驅(qū)動(dòng)器
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢(shì)。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢(shì)好像減弱了。GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 硅功率器件
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