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隔離電源與非隔離電源，哪個比較好？
首先闡述一個誤區(qū)：很多人認為非隔離電源不如隔離電源好，因為隔離電源貴，所以肯定貴的就好。為什么現(xiàn)在大家的印象當中用隔離電源比用非隔離的要好，其實不然，這種想法都是停留在幾年前的想法當中。
2019-08-07
隔離電源 非隔離電源
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數(shù)字電位器模擬對數(shù)抽頭，以準確設(shè)置增益
數(shù)字電位器（dpots）是無處不在的組件，可提供各種封裝，電阻和分辨率。然而，除了通常的電阻與設(shè)置的線性函數(shù)之外，很少實現(xiàn)任何東西。這一事實給需要寬幅（即數(shù)十年）動態(tài)增益調(diào)整范圍的應(yīng)用帶來了麻煩。
2019-08-07
數(shù)字電位器 電阻
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將運算放大器用作比較器，可行么？
許多人偶爾會把運算放大器當比較器使用。一般而言，這種做法是可行的。但偶爾會有人問到我們運算放大器的這種使用方法。這種方法有時有效，有時卻不如人們預(yù)期的那樣效果好。為什么會出現(xiàn)這種情況呢？
2019-08-06
運算放大器,比較器
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三極管的開關(guān)速度與加速電容分析
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應(yīng)地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和。
2019-08-06
三極管 加速電容
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CMOS電路的ESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步...
2019-08-05
CMOS電路 ESD保護
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LED驅(qū)動電路中的貼片電容的注意事項
在設(shè)計LED驅(qū)動電路的過程中，需要設(shè)計人員特別細心，每一個原件都決定著使用壽命，本文講解LED驅(qū)動電路中的貼片電容的注意事項。
2019-08-05
LED驅(qū)動電路 貼片電容
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射頻電路設(shè)計的常見問題及經(jīng)驗總結(jié)
射頻電路板設(shè)計由于在理論上還有很多不確定性，因此常被形容為一種“黑色藝術(shù)”，但這個觀點只有部分正確，RF電路板設(shè)計也有許多可以遵循的準則和不應(yīng)該被忽視的法則。
2019-08-02
射頻電路 設(shè)計 經(jīng)驗總結(jié)
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CAN總線電容過大的三種解決方案
工程師們在通過波形找CAN總線總線傳輸異常原因時，經(jīng)常會遇到由于下降沿過緩導(dǎo)致位采樣錯誤的情況，而下降沿過緩一般是由于總線電容過大導(dǎo)致。本文將會帶您了解電容過大造成的問題以及解決方案。
2019-08-02
CAN總線 電容過大 解決方案
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電源的緩啟動電路設(shè)計及原理 (諾基亞西門子版本)
在電信工業(yè)和微波電路設(shè)計領(lǐng)域，普遍使用MOS管控制沖擊電流的方達到電流緩啟動的目的。MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds_on低和驅(qū)動簡單的特點，在周圍加上少量元器件就可以構(gòu)成緩慢啟動電路。雖然電路比較簡單，但只有吃透MOS管的相關(guān)開關(guān)特性后才能對這個電路有深入的理解。
2019-08-01
電源 緩啟動 電路設(shè)計 原理
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