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C&K開發(fā)出智能手機用IP68等級30萬次壽命微型開關
如果你正在設計超薄智能手機，但又不希望犧牲開關的性能和信號質(zhì)量，那么推薦你考慮C&K Components最新開發(fā)出的頂部驅(qū)動的KLT系列pico開關，與現(xiàn)有的KMT系列nano開關相比，尺寸大幅縮小，封裝等級高達IP68，開關壽命高達30萬次，實為不可多得的理想之選。
2012-12-03
智能手機 微型開關 C&K
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降低EMI影響，手機D類放大器怎么設計？
由于在效率上相對于AB類放大器的巨大優(yōu)勢，D類放大器的應用越來越廣泛。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) Gartner的報告，D類放大器在2006年至2011年之間的復合年成長率將達15.6%，從3.34億美元成長至6.88億美元，主要的成長動力來自于功耗敏感及空間受限的消費類電子產(chǎn)品。但D類放大器開關輸出的拓撲結(jié)構(gòu)帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機D類放大器
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降低EMI影響，手機D類放大器怎么設計？
由于在效率上相對于AB類放大器的巨大優(yōu)勢，D類放大器的應用越來越廣泛。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) Gartner的報告，D類放大器在2006年至2011年之間的復合年成長率將達15.6%，從3.34億美元成長至6.88億美元，主要的成長動力來自于功耗敏感及空間受限的消費類電子產(chǎn)品。但D類放大器開關輸出的拓撲結(jié)構(gòu)帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機D類放大器
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Thunderbolt的ESD防護如何實現(xiàn)？
由于Thunderbolt是超高速的傳輸接口，在系統(tǒng)上屬外露給使用者可以插拔的接口，必然是靜電放電(ESD)破壞的高風險區(qū)，因此ESD防護方案在此是絕對必要的。但在額外加入的ESD防護組件設計時，又必須特別注意不可以影響到其超高速訊號的傳輸質(zhì)量，這讓ESD的防護又增加了挑戰(zhàn)。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防護
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創(chuàng)造12.5Gb/s傳輸速率應用的新行業(yè)基準AirMax VS2連接器
FCI的無屏蔽式AirMax VS2連接器，為 12.5 Gb/s應用確立富有競爭力的行業(yè)基準。AirMax VS2協(xié)調(diào)了AirMax Vse帶來的信號集成度（SI）和機械改進和創(chuàng)新特點，保留與AirMax VS的完全插入和配接能力，為用戶帶來更佳的成本優(yōu)勢。
2012-12-03
12.5Gb/s 基準 AirMax VS2 連接器
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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET
Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。
2012-12-03
0.8mm 芯片 MOSFET
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基于3G、智能手機電路保護設計時的方案選擇及器件對比
伴隨著半導體技術的高速發(fā)展和集成電路的廣泛應用，各種電子設備不斷朝著尺寸小型化、功能多樣化和高度集成化方向發(fā)展。手機作為便攜式電子產(chǎn)品，對尺寸的要求更苛刻，而隨著3G 時代來臨，未來的手機功能會更強大，各種功能模塊的集成度會更高，這些都使各類芯片耐受過電壓的能力下降，從而對手機的...
2012-11-30
半導體 智能手機 電路防護
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原邊反饋AC/DC控制芯片中的關鍵技術
原邊反饋方式的AC/DC控制技術最大的優(yōu)勢在于省去了這兩個芯片以及與之配合工作的一組元器件，這樣就節(jié)省了系統(tǒng)板上的空間，降低了成本并且提高了系統(tǒng)的可靠性。為了實現(xiàn)高精度的恒流/恒壓（CC/CV）特性，必然要采用新的技術來監(jiān)控負載、電源和溫度的實時變化以及元器件的同批次容差。
2012-11-30
AC/DC 原邊反饋控制 線纜補償 EMI
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小小電阻的用法，你掌握了嗎？
電阻作為一種最基本電子元器件，廣泛運用在各種電路中，通常我們也認為電阻是用法最簡單的一種電子元器件，除了功率外，沒有過多的講究。如果今天說就這個小小的電阻，許多資深電子工程師都不一定真正懂得如何用，您相信嗎？
2012-11-29
電阻 電路設計 電源
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