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32kHz MEMS振蕩器橫空出世，石英蒙上退場(chǎng)陰霾
傳統(tǒng)主宰智能手機(jī)市場(chǎng)的石英晶體諧振器因著SiTime革命性的SiT15xx系列32 kHz MEMS振蕩器而蒙上退場(chǎng)陰霾，因?yàn)榕c最小的5平方毫米石英諧振器相比，SiT15xx占位面積還能小70％，功耗也降低50％，而且性能指標(biāo)全面超越，替代無(wú)法阻擋。
2013-04-07
MEMS 振蕩器 石英振蕩器 SiTime
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LED驅(qū)動(dòng)電源知識(shí)集錦，看你知道多少
本文集錦了LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及應(yīng)用中的各種問(wèn)題、方法及技巧，例如：LED驅(qū)動(dòng)電源的分類、LED驅(qū)動(dòng)電源的特點(diǎn)、確定LED驅(qū)動(dòng)電源質(zhì)量的七大原則、LED驅(qū)動(dòng)電源常見(jiàn)難題解答以及LED驅(qū)動(dòng)電源電路保護(hù)方法等，看看你知道多少？
2013-04-03
LED 驅(qū)動(dòng)電源
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ST創(chuàng)新開(kāi)關(guān)產(chǎn)品可大幅提升設(shè)備電源能效
ST的超結(jié)功率MOSFET晶體管系列新增快速開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，用于高能效消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽(yáng)能設(shè)備。所用的功率創(chuàng)新技術(shù)可減少相當(dāng)于數(shù)千輛汽車(chē)尾氣排放量的溫室氣體。
2013-04-03
ST MOSFET 開(kāi)關(guān)
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ST創(chuàng)新開(kāi)關(guān)產(chǎn)品可大幅提升設(shè)備電源能效
ST的超結(jié)功率MOSFET晶體管系列新增快速開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，用于高能效消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽(yáng)能設(shè)備。所用的功率創(chuàng)新技術(shù)可減少相當(dāng)于數(shù)千輛汽車(chē)尾氣排放量的溫室氣體。
2013-04-03
ST MOSFET 開(kāi)關(guān)
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馬永健老師談EMC到底該如何設(shè)計(jì)？
近日參加了EMC專家馬永健老師的培訓(xùn)課，雖只是EMC設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)和元器件選型，卻讓我茅塞頓開(kāi)，相比之下，我的知識(shí)儲(chǔ)備真是微不足道?，F(xiàn)將自己獲得的一些知識(shí)分享出來(lái)，共同學(xué)習(xí)。
2013-04-02
馬永健 EMC
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TE電路保護(hù)部榮獲中國(guó)電子成就獎(jiǎng)
TE旗下的業(yè)務(wù)部門(mén)TE電路保護(hù)部憑借2Pro AC產(chǎn)品2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE Award) 的年度最佳高性能元件類別中贏得殊榮。2Pro AC是用于LED照明、智能電表、電器和電源等低電流應(yīng)用的AC線路保護(hù)解決方案。
2013-03-29
TE 電路保護(hù) 獲獎(jiǎng)
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TE電路保護(hù)部榮獲中國(guó)電子成就獎(jiǎng)
TE旗下的業(yè)務(wù)部門(mén)TE電路保護(hù)部憑借2Pro AC產(chǎn)品2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE Award) 的年度最佳高性能元件類別中贏得殊榮。2Pro AC是用于LED照明、智能電表、電器和電源等低電流應(yīng)用的AC線路保護(hù)解決方案。
2013-03-29
TE 電路保護(hù) 獲獎(jiǎng)
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數(shù)據(jù)洪流來(lái)襲，LSI創(chuàng)新sDAS方案顯神通
數(shù)據(jù)洪流來(lái)襲，讓數(shù)據(jù)中心面臨著海量數(shù)據(jù)增長(zhǎng)、可靠性問(wèn)題、成本和功耗增加和數(shù)據(jù)丟失等巨 大挑戰(zhàn)，因此半導(dǎo)體廠商迫切要更加智能化。本文就來(lái)談?wù)勗庥鰯?shù)據(jù)洪流，LSI如何通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)解決數(shù)據(jù)洪流的差距？
2013-03-28
內(nèi)存儲(chǔ)器
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集成DC/DC驅(qū)動(dòng)器及MOSFET VR功率級(jí)的DrMOS器件
英飛凌近日在2013應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動(dòng)器及MOSFET VR功率級(jí)。
2013-03-28
英飛凌 DrBlade DC/DC MOSFET
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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