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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務選擇安捷倫測試設(shè)備
近日，北京――總部設(shè)在美國的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示，新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測試要求，包括嚴格的成本、質(zhì)量和出貨目標。從而使SigmaTron公司能夠擴展業(yè)務范圍，應對不確定全球經(jīng)濟的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導體 安捷倫 測試設(shè)備
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2657A：吉時利發(fā)布為測試優(yōu)化的高電壓數(shù)字源表
近日，先進電氣測試儀器與系統(tǒng)的世界級領(lǐng)導者吉時利儀器公司今日發(fā)布2657A高功率數(shù)字源表。2657A為吉時利2600A系列高速、精密源測量單元數(shù)字源表系列產(chǎn)品增加了高電壓功能。此系列儀器能幫助吉時利客戶分析范圍更寬的功率半導體器件和材料。
2012-03-29
高功率 半導體 吉時利 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機遇？
縱觀半導體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局——以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機遇？這里結(jié)合自己的...
2012-03-29
存儲技術(shù) 中國制造 機遇
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智能化升級帶來國有電子設(shè)備企業(yè)新危機
據(jù)國家統(tǒng)計局最新數(shù)據(jù)，今年1~2月份，國有企業(yè)的利潤步入下行通道，全國規(guī)模以上的工業(yè)企業(yè)中，計算機、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)的利潤下降了40.8%
2012-03-29
智能手機 山寨手機 國有企業(yè) 計算機
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物聯(lián)網(wǎng)將重點發(fā)展智能醫(yī)療項目
足不出戶，通過手機、電腦、電視等智能終端就能了解小區(qū)附近交通、教育、醫(yī)療、超市等服務資源。 在不遠的將來，從醫(yī)院的門診、病床直到院長監(jiān)控室，智能醫(yī)療都將大展身手。這些都不是夢想，在物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的今天，各項政策的積極推進，并且 隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展，智能醫(yī)療...
2012-03-29
物聯(lián)網(wǎng) 智能醫(yī)療
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三大運營商“聚焦”移動互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)展各有側(cè)重
中國移動近幾年運營成本持續(xù)增長，2011年運營成本3767億元，增長12.6%。其中折舊和銷售費用占比超過50%；中國電信運營成本增長較快，2011年運營成本2209.12億元，同比增長12.5%，主要是銷售、一般及管理費用的增長較快，其中移動終端銷售成本增長159.2%、移動手機補貼增長29.1%；中國聯(lián)通運營成本增...
2012-03-29
移動互聯(lián)網(wǎng) 三網(wǎng)融合
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如何提高汽車引擎控制單元的測試速度
汽車電力系統(tǒng)的不當調(diào)節(jié)，會導致經(jīng)常發(fā)生電壓驟降和過擊的現(xiàn)象。在正常的情況下，電壓的范圍會介于11 到15 伏特之間，而在暫態(tài)開始和執(zhí)行的情況下，則會介于8 到24 伏特之間。因此，在測試引擎控制單元（ECU）時必須執(zhí)行電壓邊限測試，以驗證在極端的偏壓電壓情況下能否正常操作，以及容許度有多大。
2012-03-29
汽車 引擎控制單元 測試速度
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇要點
同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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