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2010年上半年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)運(yùn)行概況
2010年上半年中國(guó)集成電路產(chǎn)量為302.5億塊，同比大幅增長(zhǎng)了49.4%，行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入666.03億元。與2009年上半年458.99億元銷售額相比。增長(zhǎng)了45.1%。上半年的高增長(zhǎng)主要得益于國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，以及去年上半年行業(yè)低谷的低基數(shù)效應(yīng)。
2010-08-27
集成電路 半導(dǎo)體 芯片制造
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第四代架構(gòu)讓消費(fèi)者作主
據(jù)iSuppli公司，第四代設(shè)計(jì)架構(gòu)今年開(kāi)始得到采用，正在改變汽車信息娛樂(lè)領(lǐng)域的供應(yīng)與消費(fèi)模式，消費(fèi)者對(duì)汽車電子的影響力比以前更大。第四代設(shè)計(jì)代表著第一種全行業(yè)范圍的平臺(tái)，消費(fèi)者購(gòu)買汽車后可以增加任何特點(diǎn)和功能，不受限制。這也是汽車內(nèi)部實(shí)施的、在生產(chǎn)線上沒(méi)有預(yù)先定義的功能集的第一種汽...
2010-08-27
汽車電子 汽車架構(gòu) 汽車軟件
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IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) ，今天宣布推出汽車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2010-08-27
IR 功率 MOSFET EMI
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泰克在其波形監(jiān)測(cè)儀中新增立體3D視頻支持功能
泰克公司宣布：在其新一代高級(jí)3G/HD/SD-SDI波形監(jiān)測(cè)儀WFM8300/WFM8200和WVR8300/WVR8200中新增了全新的立體3D視頻支持功能。
2010-08-27
泰克 波形監(jiān)測(cè) 3D視頻
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印制電路板的熱設(shè)計(jì)及其實(shí)施
本文介紹了板級(jí)電路熱設(shè)計(jì)的兩種基本原則一一減少發(fā)熱量和加快散熱，并詳細(xì)討論了熱設(shè)計(jì)的幾種方法及其具體實(shí)現(xiàn)手段。
2010-08-27
等效導(dǎo)熱系數(shù) 金屬基(芯)PCB 印制電路板 熱設(shè)計(jì)
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激光直接成像技術(shù)
許多己經(jīng)頒布的“標(biāo)準(zhǔn)”設(shè)計(jì)規(guī)范可能會(huì)隨著電路板功能的增加而發(fā)生改變，通過(guò)激光直接成像(LDI)技術(shù)可以使得處于高端的PCB組件的成本降低。LDI不僅是一種制造微細(xì)引線和很多小尺寸產(chǎn)品的工具。在PCB的制造生產(chǎn)中，它是唯一有能力對(duì)在PCB的制造生產(chǎn)中的每一幅圖片進(jìn)行單獨(dú)登記記錄和按比例排列的。
2010-08-27
PCB制造 電路裝配 激光成像
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半導(dǎo)體產(chǎn)能瓶頸 電子產(chǎn)業(yè)影響大
據(jù)美聯(lián)社(AP)報(bào)導(dǎo)，近期波動(dòng)看似無(wú)損智能型手機(jī)(Smartphone)蓬勃發(fā)展，然事實(shí)上經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定，市場(chǎng)氣氛低迷，芯片制造商走過(guò)2009年減產(chǎn)，2010年企圖急起直追，卻力有未逮，連帶拖累智能型手機(jī)(Smartphone)、PC、網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備商。
2010-08-26
半導(dǎo)體 智能手機(jī) 芯片
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R&S射頻診斷暗室為實(shí)驗(yàn)室工作臺(tái)提供自由空間的測(cè)試環(huán)境
緊湊型的射頻診斷暗室R＆S DST200，讓移動(dòng)電話等無(wú)線設(shè)備的研發(fā)人員能在工作臺(tái)上實(shí)現(xiàn)射頻輻射測(cè)量。此臺(tái)式暗室模擬能近似自由空間的測(cè)試條件，并配有專為此暗室設(shè)計(jì)的700 MHz到6 GHz的寬帶天線。用戶可以測(cè)量自我干擾（減敏）或輻射發(fā)射，執(zhí)行共存測(cè)試以及在研發(fā)過(guò)程中驗(yàn)證天線的輻射方向圖。因此，...
2010-08-26
R&S DST200 射頻輻射 測(cè)試
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IEK:Q3半導(dǎo)體成長(zhǎng)減弱 代工封測(cè)仍將供不應(yīng)求
據(jù)工研院IEK ITIS計(jì)劃針對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下半年的產(chǎn)業(yè)展望評(píng)估，在2009年下半年時(shí)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到各國(guó)政府經(jīng)濟(jì)振興方案的影響，使得全球半導(dǎo)體銷售較2009 年上半年呈現(xiàn)大幅度成長(zhǎng)，而至2010年上半年時(shí)，全球景氣復(fù)蘇腳步優(yōu)于預(yù)期，再加上產(chǎn)能不足，也使今年上半年的銷售成績(jī)亮眼，然也因基期高，故...
2010-08-26
半導(dǎo)體 IC IEK 晶圓代工 封測(cè)產(chǎn)能
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