【導(dǎo)讀】東芝宣布已加強(qiáng)其基于ARM核的微控制器的當(dāng)前“TX系列”，并已開始開發(fā)三個(gè)系列的微控制器：“TXZ0系列”、“TXZ3系列”以及“TXZ4系列”，還計(jì)劃開發(fā)嵌入新的非易失性存儲(chǔ)器的產(chǎn)品。
它們作為“TXZ™系列”的組成部分，“TXZ™系列”是一個(gè)新的閃存微控制器系列，其支持物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和機(jī)器對(duì)機(jī)器（M2M）生態(tài)系統(tǒng)的低功耗和高速運(yùn)算。“TXZ3系列”的樣品發(fā)貨將于2016年第二季度啟動(dòng)。
另外，東芝開已始開發(fā)配有嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的微控制器，該微控制器與模擬電路有高度的兼容性。樣品發(fā)貨將于2015年第四季度啟動(dòng)。
自從2009年推出基于ARM Cortex-M3核的“TX03系列”以來(lái)，東芝已開發(fā)基于ARM Cortex-M處理器的產(chǎn)品。2011年，該公司通過發(fā)布基于ARM Cortex-M0核的“TX00系列”以及基于ARM Cortex-M4F核的 “TX04系列”來(lái)拓展其產(chǎn)品陣容。與利用東芝原創(chuàng)的高精度模擬技術(shù)的外圍電路結(jié)合使用。這些系列的產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于許多應(yīng)用中，包括馬達(dá)、精密儀器、功率計(jì)、醫(yī)療保健設(shè)備和辦公設(shè)備。
通過將東芝面向物聯(lián)網(wǎng)解決方案的“TZ系列”ApP Lite™ 應(yīng)用處理器產(chǎn)品中采用的超低功率設(shè)計(jì)技術(shù)整合至當(dāng)前的“TX系列”微控制器中，目前正在開發(fā)中的“TXZ系列”將滿足市場(chǎng)對(duì)低功耗系統(tǒng)的需求。
“TXZ系列”將按照新開發(fā)的基于65納米邏輯工藝的嵌入式閃存工藝制造。與具有相同功能的產(chǎn)品相比，這些產(chǎn)品將降低60%的功耗。
第一組產(chǎn)品將是“TMPM3H”，是基于ARM Cortex-M3核的“TXZ3系列”的一部分。該組產(chǎn)品提供30款以小封裝為特征的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品具有100以下的引腳數(shù)量，并且具有配置標(biāo)準(zhǔn)電路的128KB低閃存容量。東芝預(yù)計(jì)這些產(chǎn)品將降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗，目標(biāo)功耗為100uA/MHz或者更低。樣品發(fā)貨將于2016年第二季度啟動(dòng)。
東芝將繼續(xù)擴(kuò)大該組產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。東芝將推出基于ARM Cortex-M4F核的第二組高速產(chǎn)品以及具有超低功耗、同樣基于ARM Cortex-M4F核的第三組產(chǎn)品。
在適合電源管理和馬達(dá)控制等應(yīng)用、需要與模擬電路有高度兼容性的產(chǎn)品陣容中，東芝已開始開發(fā)采用新開發(fā)的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）工藝制造的產(chǎn)品，該工藝在其130納米邏輯工藝技術(shù)上采用單多晶可多次編程單元。樣品發(fā)貨將于2015年第四季度啟動(dòng)。
為了加強(qiáng)公司的微控制器產(chǎn)品組合并滿足各種各樣的市場(chǎng)需求，東芝計(jì)劃推出300款產(chǎn)品：截至2017年推出180款產(chǎn)品，截至2018年推出另外120款產(chǎn)品。
* ARM和Cortex是ARM Limited（或其子公司）在歐盟和/或其他地方的注冊(cè)商標(biāo)。
*TXZ是東芝公司的商標(biāo)。
*ApP Lite是東芝公司的商標(biāo)。
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