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英特爾基辛格：摩爾定律放緩至三年一個(gè)周期 但尚未消亡
英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）近日表示摩爾定律仍在發(fā)揮作用，芯片的晶體管數(shù)量現(xiàn)在每三年增加一倍。這實(shí)際上大大落后于摩爾定律每兩年增加一倍的速度。然而，基辛格并沒有認(rèn)輸，他概述了與最初的摩爾定律保持同步的策略。
2024-01-05
英特爾 摩爾定律
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常見三相PFC結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)分析，一文get√
為了滿足應(yīng)用的要求，為PFC選擇的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一個(gè)重要考慮因素，它們將決定整體的解決方案和性能。此外，并非所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都可以滿足所有要求，就像并非所有拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都支持三電平開關(guān)或雙向性。之前我們介紹過三相功率因數(shù)校正系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)和設(shè)計(jì)三相PFC時(shí)的注意事項(xiàng)，本文將介紹一些常見的三相拓?fù)浣Y(jié)...
2024-01-04
三相PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
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?碳化硅助力實(shí)現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長， 也使設(shè)計(jì)工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-03
碳化硅 PFC 技術(shù)
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半導(dǎo)體創(chuàng)新如何塑造邊緣 AI 的未來
當(dāng)工程師們提到“邊緣”，并不是指一個(gè)遙遠(yuǎn)的抽象地點(diǎn)。我們的家里、辦公室里和工廠里就存在邊緣。邊緣是捕獲和計(jì)算數(shù)據(jù)所在的本地環(huán)境或設(shè)備，如機(jī)器人或智能家居設(shè)備。邊緣 AI 能在本地設(shè)備上實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)智能和響應(yīng)，無需將數(shù)據(jù)發(fā)送到局域網(wǎng)以外的云。
2024-01-02
半導(dǎo)體 邊緣 AI
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動(dòng)、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動(dòng)IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
MOS 變頻器
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如何快速而經(jīng)濟(jì)高效地將藍(lán)牙 5．3 添加至邊緣物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)
激烈的競爭給物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備開發(fā)商帶來了壓力，他們必須迅速推出新的創(chuàng)新產(chǎn)品，同時(shí)還要降低成本，確保穩(wěn)定、低功耗、安全的通信。傳統(tǒng)的智能物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)包括用于邊緣處理的微控制器單元 (MCU) 和用于連接的無線集成電路。如果設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)缺乏開發(fā)有效解決方案必需的射頻 (RF) 技能，就會(huì)出現(xiàn)問題。
2023-12-29
藍(lán)牙 5．3 邊緣物聯(lián)網(wǎng)
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貿(mào)澤和TE聯(lián)手發(fā)布新電子書，探討電動(dòng)汽車和互聯(lián)交通的發(fā)展態(tài)勢
2023年12月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與全球知名的連接器和傳感器制造商TE Connectivity聯(lián)手發(fā)布了一本新電子書，探討電動(dòng)汽車和快速發(fā)展的互聯(lián)交通的現(xiàn)況。這本新電子書重點(diǎn)介紹了一些新興工程主題，如V2X生態(tài)系統(tǒng)、5G車隊(duì)遠(yuǎn)...
2023-12-29
貿(mào)澤 TE 互聯(lián)交通
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關(guān)于電阻溫度系數(shù)、測量和結(jié)構(gòu)影響 這篇文章說透了
電阻溫度系數(shù)（TCR 或 RTC）是上述缺陷的熱能因素的特征。假設(shè)晶粒結(jié)構(gòu)沒有因極端脈沖/過載事件導(dǎo)致的高溫而改變，則當(dāng)溫度恢復(fù)到參考溫度時(shí)，這種電阻變化帶來的影響是可逆的。對(duì)于 Power Metal Strip? 和 Power Metal Plate? 產(chǎn)品，這將是一個(gè)導(dǎo)致電阻合金超過 350℃ 的溫度。
2023-12-28
電阻溫度 系數(shù) 測量 結(jié)構(gòu)
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電容在EMC中的應(yīng)用
在EMC設(shè)計(jì)中，電容的選型和布局是非常關(guān)鍵的。合適的電容選擇可以顯著提高設(shè)備的電磁兼容性，防止不同部分之間的相互干擾，同時(shí)確保設(shè)備在電磁環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
2023-12-28
電容 EMC
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