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英特爾王銳：立足算力創(chuàng)新，釋放數(shù)字經(jīng)濟(jì)潛能
3月28-31日，博鰲亞洲論壇2023年年會于海南博鰲舉行，匯集亞洲各國的政、商、學(xué)、媒等各界代表，以“不確定的世界：團(tuán)結(jié)合作迎挑戰(zhàn)，開放包容促發(fā)展”為主題，共話全球發(fā)展與合作。3月29日，英特爾公司高級副總裁、英特爾中國區(qū)董事長王銳博士出席“推進(jìn)數(shù)字經(jīng)濟(jì)”論壇，與來自政府、企業(yè)、傳媒界的各位...
2023-04-19
英特爾 信息通信 數(shù)字經(jīng)濟(jì)
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通信 | 歐洲數(shù)字信號干擾器項(xiàng)目
在商業(yè)中，事情很少精確地按計(jì)劃進(jìn)行：優(yōu)先事項(xiàng)的變化可能意外地占用項(xiàng)目所依賴的內(nèi)部資源；供應(yīng)鏈的瓶頸可能使關(guān)鍵部件越來越難以采購；客戶不斷變化的期望可能導(dǎo)致技術(shù)規(guī)格的改變，使本就緊迫的期限變得更加不可能完成。
2023-04-14
通信 數(shù)字信號 干擾器
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觸摸屏與按鈕界面設(shè)計(jì)：電容式和電阻式觸摸屏和觸覺
觸摸屏可以提供一種創(chuàng)造的機(jī)械感，在按下時會發(fā)光或發(fā)出聲音，但在連續(xù)鍵入或按下這些鍵的過程中，用戶可能會比機(jī)械鍵盤更容易意外觸摸到相鄰的鍵。觸摸屏通常是平面的，沒有像機(jī)械鍵盤那樣分隔相鄰鍵的真正障礙。
2023-04-14
觸摸屏 按鈕界面設(shè)計(jì) 電容式觸摸屏 電阻式觸摸屏
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邁向更高階自動駕駛，車路協(xié)同技術(shù)是關(guān)鍵
“世界上最遙遠(yuǎn)的距離，是同一個桿子上紅綠燈和攝像頭之間的距離。因?yàn)樗鼈冸m然挨的很近，但一點(diǎn)關(guān)系都沒有?！眮碜灾袊こ淘涸菏客鯃?jiān)的這段話，點(diǎn)出了智慧城市建設(shè)中存在的問題——汽車和路網(wǎng)、各種交通設(shè)備之間，都尚未完全實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互通。
2023-04-14
自動駕駛 車路協(xié)同
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PCB無處“安放”？幾個工業(yè)PCB互連技能點(diǎn)，幫你解決！
眾所周知，PCB板設(shè)計(jì)是電子設(shè)計(jì)工程師必須具備的一項(xiàng)基本功，也是檢驗(yàn)硬件工程師技術(shù)實(shí)力的試金石。不過，如果你希望在“畫板子”這種板級設(shè)計(jì)之外，還能夠向電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級設(shè)計(jì)進(jìn)階，那么PCB之間的互連設(shè)計(jì)，就成了一個必須掌握的技能點(diǎn)。
2023-04-13
工業(yè)PCB 連接器
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【活動邀請】2023電子思想者（深圳）大會
2023年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍然面臨“需求創(chuàng)新困境”，疊加中美戰(zhàn)略博弈對抗升級，2023年的全球半導(dǎo)體行業(yè)是極其艱難的一年。WSTS、ICinsights、Gartner等知名分析機(jī)構(gòu)都給出了悲觀預(yù)測，甚至認(rèn)為全球半導(dǎo)體行業(yè)正走向自2000年互聯(lián)網(wǎng)泡沫后的最大衰退。在對2023年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展悲觀預(yù)期如此一致的情...
2023-04-11
電子思想者 半導(dǎo)體
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異構(gòu)集成推動面板制程設(shè)備（驅(qū)動器）的改變
晶體管微縮成本的不斷提升，促使行業(yè)尋找創(chuàng)新方法，更新迭代提升芯片和系統(tǒng)的性能。正因此，異構(gòu)集成已成為封裝技術(shù)最新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
2023-04-10
異構(gòu)集成 面板制程設(shè)備 驅(qū)動器
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CITE2023順利收官：落幕不散場，期待明年再見
2023年4月9日，第十一屆中國電子信息博覽會（CITE2023）在深圳會展中心順利收官。作為展示全球電子信息產(chǎn)業(yè)最新產(chǎn)品和技術(shù)的頂級平臺，中國電子信息博覽會自2013年首次舉辦以來，經(jīng)過十一載時光淬煉，一路見證了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的壯闊歷程，已成為推動技術(shù)創(chuàng)新的參與者與引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。
2023-04-10
中國電子信息博覽會 智慧家庭 數(shù)字技術(shù) 高端半導(dǎo)體
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柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性
當(dāng)今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因?yàn)樗哂谐錾铱芍噩F(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強(qiáng)靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包...
2023-04-09
柵極 FET 短溝道效應(yīng) 魯棒性
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