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UPS在EMC傳導(dǎo)干擾測(cè)試中的幾個(gè)問(wèn)題
本文介紹了UPS用濾波器扣制電源線在傳導(dǎo)干擾測(cè)試中遇到的濾波器選擇、安裝等問(wèn)題，給出了在不同條件下的測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其產(chǎn)生原因和防護(hù)措施作了討論。
2008-09-30
UPS不間斷電源 EMC電磁兼容 濾波器
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高速CMOS 模擬集成電路中的靜電保護(hù)電路設(shè)計(jì)
本文分析了靜電放電( ESD) 保護(hù)的基本原理，指出了傳統(tǒng)的用于模擬電路的ESD 保護(hù)電路在高速電路應(yīng)用中的局限性。 提出了在端口的柵極接地NMOS 管和柵極接電源PMOS 管的基礎(chǔ)上，加上電源與地之間的高速靜電瀉放回路(片上保護(hù)) 的新電路結(jié)構(gòu)。 仿真結(jié)果表明，該電路滿足USB2.0 高速接口電路的ESD 保護(hù)...
2008-09-30
靜電放電保護(hù) 人體模型 片上保護(hù) 柵極接地的NMOS
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開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)
如今，開(kāi)關(guān)電源體積越來(lái)越小，功率密度越來(lái)越大，EMl/EMC問(wèn)題成為了開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性的一個(gè)關(guān)鍵因素，也是最容易忽視的一個(gè)方面。實(shí)踐證明，EMI問(wèn)題越早考慮，越早解決，費(fèi)用越小，效果越好。隨著各國(guó)電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的加強(qiáng)，電磁兼容性設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中的位置也愈加重要，因此，必須充分重視...
2008-09-29
EMC 電磁干擾 EMT 屏蔽措施
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電源高位跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本系統(tǒng)通過(guò)采用可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān)的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無(wú)級(jí)跟蹤控制的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了輸入極電壓對(duì)輸出極電壓的非開(kāi)關(guān)電源方式的全程無(wú)級(jí)高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。
2008-09-29
差壓轉(zhuǎn)換 同步取樣 可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān) 無(wú)級(jí)高位跟蹤
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電磁干擾濾波電容器使用方法
電容器是電路中最基本的元件之一，利用電容濾除電路上的高頻騷擾和對(duì)電源解耦是所有電路設(shè)計(jì)人員都熟悉的。但是，隨著電磁干擾問(wèn)題的日益突出，特別是干擾頻率的日益提高，由于不了解電容的基本特性而達(dá)不到預(yù)期濾波效果的事情時(shí)有發(fā)生。本文介紹一些容易被忽略的影響電容濾波性能的參數(shù)及使用電容...
2008-09-29
電磁干擾 濾波器 電容器 穿心電容
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。一個(gè)隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內(nèi)保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍僅約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開(kāi)關(guān)S1就會(huì)關(guān)閉，而來(lái)...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要高效率和低IQ
由于在機(jī)箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設(shè)計(jì)師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡(jiǎn)單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設(shè)計(jì)
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢(shì)成為DSC、掌上游戲機(jī)或手機(jī)等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景?？傊?，技術(shù)與市場(chǎng)潛力是一個(gè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上，國(guó)內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定，若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實(shí)力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來(lái)越大和動(dòng)態(tài)要求的越來(lái)越嚴(yán)格，AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識(shí)。本文對(duì)AVP控制策略的有源法和無(wú)源法進(jìn)行了理論分析，并采用一種新式檢測(cè)方法實(shí)現(xiàn)AVP控制,并通過(guò)比較實(shí)驗(yàn)證實(shí)了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調(diào)整模塊 降壓控制 有源法 無(wú)源法
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