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一種開關(guān)電源保護(hù)電路的改進(jìn)
UC3842是美國Unltmde公司生產(chǎn)的一種性能優(yōu)良的電流控制型脈寬調(diào)制芯片,它因管腳數(shù)量少,外圍電路簡單等特點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著UC3842開關(guān)頻率的提高,由它構(gòu)成的開關(guān)電源的保護(hù)電路也出現(xiàn)了很多問題。本文分析UC3842保護(hù)電路的缺陷及改進(jìn)方法。
2012-05-03
開關(guān)電源 保護(hù) 電路
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采用新型放大器解決電流檢測的技術(shù)挑戰(zhàn)
絕大多數(shù)的模擬芯片(比較器、運(yùn)算放大器、儀表放大器、基準(zhǔn)源和濾波器等)都是用來處理電壓信號(hào)的。當(dāng)用來處理電流信號(hào)時(shí),設(shè)計(jì)師的選擇就較少了,且頭痛的事情也比較多。這是很不幸的,因?yàn)橹苯颖O(jiān)控和測量電流具有很大的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于電機(jī)力矩、螺線管力、LED亮度、太陽能電池光照以及電池能量等參數(shù),...
2012-05-02
模擬芯片 比較器 放大器
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對(duì)話Gordon Bourns, 65年締造價(jià)值與經(jīng)典
初次見到Bourns的首席執(zhí)行官Gordon Bourns先生,就深為他謙遜和平和的領(lǐng)導(dǎo)風(fēng)格感動(dòng)。Gordon Bourns分享他的成功理念:“Bourns努力幫助合作伙伴和公司員工成功,因?yàn)橹挥羞@樣我們才可以更加成功?!盉ourns的核心精神是服務(wù),服務(wù)客戶,回報(bào)社會(huì)。
2012-04-30
Bourns 電路保護(hù) 精密電阻 傳感器
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多晶硅供應(yīng)過剩令光伏價(jià)格承壓
據(jù)IHS iSuppli公司的光伏(PV)展望報(bào)告,光伏產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵原材料多晶硅生產(chǎn)技術(shù)過剩,將導(dǎo)致供過于求,造成其價(jià)格進(jìn)一步下滑。
2012-04-28
多晶硅 光伏 太陽能 模組
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ADP1046:ADI數(shù)字電源控制器 高效率隔離電源
Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最近推出針對(duì)高效率AC-DC和隔離式DC-DC電源系統(tǒng)的數(shù)字電源控制器ADP1046。ADP1046是一款靈活的控制器,具有7個(gè)PWM(脈沖寬度調(diào)制)邏輯輸出,可以通過I 2 C接口和簡單易用的圖形用戶界面(GUI)輕松編程。該器件可用于...
2012-04-28
ADP1046 ADI 數(shù)字電源 控制器
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設(shè)計(jì)電源,可替代集成MOSFET的分立器件有哪些?
在電源設(shè)計(jì)中,工程師通常會(huì)面臨控制IC驅(qū)動(dòng)電流不足的問題,或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制IC功耗過大的問題。為緩解這一問題,工程師通常會(huì)采用外部驅(qū)動(dòng)器。成本最低的解決方案,通常會(huì)選擇價(jià)值幾美分的分立器件。
2012-04-28
電源 MOSFET 分立器件
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如何用開關(guān)穩(wěn)壓器為高速ADC供電?
對(duì)于挑選高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)者而言,功耗是最重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)參數(shù)。無論是需要較長電池壽命的便攜設(shè)計(jì),還是消耗熱能較少的小型產(chǎn)品,功耗都很關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)者過去都采用低噪聲的線性穩(wěn)壓器為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器供電,如低壓差穩(wěn)壓器,而不是開關(guān)穩(wěn)壓器。
2012-04-27
開關(guān)穩(wěn)壓器 高速ADC
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華明科技擴(kuò)展分銷渠道 打造全新電子元器件B2C平臺(tái)
華明科技(國際)有限公司是一家從事現(xiàn)貨庫存的IC分銷商。近日,在本屆中國(深圳)電子展上,華明科技全面推出全新打造的電子元器件網(wǎng)購平臺(tái)——華電商城(http://www.e-ic.cn)。通過華電商城的線上交易,不設(shè)最低采購量,價(jià)格透明,華明科技的IC分銷有了很好的補(bǔ)充。
2012-04-26
華明科技 B2C 平臺(tái)
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如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)(下)
在《如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)(上)》中,我們討論了電流快速變化時(shí)一些負(fù)載的電容旁路要求。我們發(fā)現(xiàn)必須讓低等效串聯(lián)電感(ESL)電容器靠近負(fù)載,因?yàn)椴坏?.5 nH便可產(chǎn)生不可接受的電壓劇增。實(shí)際上,要達(dá)到這種低電感,要求在處理器封裝中放置多個(gè)旁路電容器和多個(gè)互連針腳。本文中,我們將討論...
2012-04-25
di/dt 負(fù)載 瞬態(tài)
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