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帶微處理器的繼電器將會迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現在國際上有些廠家生產的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因為電子整機在減小體積時，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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南方芯源推出全系列外延片快恢復二極管
南方芯源(Samwin)推出全系列外延片快恢復二極管。此系列FRED使用外延片做基片，相對于雙擴片做基片的產品，一致性更好，耐壓性能更好，產品體現出快的恢復時間，目前已在UPS及HID行業(yè)廣泛應用。
2008-09-23
外延片快恢復二極管 FRED UPS HID
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影響中國電子信息產業(yè)國際競爭力的矛盾
目前，中國電子信息產業(yè)發(fā)展中的主要矛盾依然突出，成為影響產業(yè)快速發(fā)展的絆腳石，制約了國際競爭力的進一步提升。
2008-09-22
電子信息產業(yè)
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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應用而設計，旨在減少機械破碎相關的電容器故障。
2008-09-19
VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器
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微特電機 變生產大國為技術強國
近幾年，我國微特電機行業(yè)有了長足的發(fā)展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經形成我國微特電機的重要生產基地和出口基地。我國已經成為世界微特電機的生產大國。
2008-09-18
微特電機
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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中能打破多晶硅技術壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術應用三個方面的產品研發(fā)。該中心的成立將進一步提高Samwin產品的技術先進度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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